[发明专利]半导体基板，电子器件，以及半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种半导体基板，其是依次包括基底基板、绝缘层和Si结晶层的半导体基板，其特征在于，包括：

设置于所述Si结晶层上且经过退火处理的籽晶，和

与所述籽晶晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体。

2.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

还包括抑制所述化合物半导体的结晶生长的抑制层；

所述抑制层具有贯通至所述Si结晶层的开口，

所述籽晶设置于所述开口的内部。

3.根据权利要求2所述的半导体基板，其特征在于，

所述抑制层形成在所述Si结晶层上。

4.根据权利要求2所述的半导体基板，其特征在于，

在所述化合物半导体的所述开口中包含的部分具有小于√2的纵横比。

5.根据权利要求2所述的半导体基板，其特征在于，

所述化合物半导体包括：

在所述籽晶上以比所述抑制层的表面更凸出的方式结晶生长的晶种化合物半导体晶体，和

以所述晶种化合物半导体晶体为核，沿所述抑制层横向生长的横向生长化合物半导体晶体。

6.根据权利要求5所述的半导体基板，其特征在于，

所述横向生长化合物半导体晶体包括：

以所述晶种化合物半导体晶体为核，沿所述抑制层横向生长的第1化合物半导体晶体，和

以所述第1化合物半导体晶体为核，沿所述抑制层且与所述第1化合物半导体晶体不同的方向横向生长的第2化合物半导体晶体。

7.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述Si结晶层、所述籽晶和所述化合物半导体与所述基底基板大致平行地形成。

8.根据权利要求7所述的半导体基板，其特征在于，还包括：

覆盖所述Si结晶层的上表面且抑制所述化合物半导体的结晶生长的抑制层。

9.根据权利要求2所述的半导体基板，其特征在于，

所述抑制层通过将所述Si结晶层中配置有所述籽晶的区域之外的区域热氧化而形成。

10.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

多个所述籽晶等间隔地设置于所述Si结晶层上。

11.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述籽晶具有不会因所述退火中产生的热应力而引起缺陷的大小。

12.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

还包括缺陷捕捉部，其捕捉在所述籽晶的内部产生的缺陷；

从所述籽晶中包含的任意一点到所述缺陷捕捉部的最大距离比所述退火中所述缺陷能够移动的距离小。

13.根据权利要求12所述的半导体基板，其特征在于，

所述缺陷捕捉部是所述籽晶的界面或者表面，是不与所述基底基板大致平行的方向上的面。

14.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述籽晶包含结晶生长的Si_xGe_1-x晶体或者以500℃以下的温度结晶生长的GaAs，所述Si_xGe_1-x中0≤x＜1。

15.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述籽晶的与所述化合物半导体的界面由气体的P化合物进行了表面处理。

16.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述化合物半导体是III-V族化合物半导体或者II-VI族化合物半导体。

17.根据权利要求16所述的半导体基板，其特征在于，

所述化合物半导体是III-V族化合物半导体，作为III族元素，包含Al、Ga和In中的至少一个，作为V族元素，包含N、P、As和Sb中的至少一个。

18.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述化合物半导体包括缓冲层，所述缓冲层由包含P的III-V族化合物半导体构成，

所述缓冲层与所述籽晶晶格匹配或者准晶格匹配。