[发明专利]配线板、半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体元件，其具有有源元件区域；

多个元件电极，它们被形成于所述半导体元件的主表面上；

外部端子，其被经由连接构件连接至一个或多个所述元件电极上；

一个或多个第一散热突起，它们被形成在所述半导体元件的主表面上；

绝缘树脂层，其覆盖所述半导体元件的主表面和所述第一散热突起；以及

散热介质，其接触所述绝缘树脂层的与接触第一散热突起前表面的一侧相反的一侧上的表面；

其中，所述有源元件区域的至少一部分被包括在所述第一散热突起底表面下面的区域中；

在所述有源元件区域内，所述第一散热突起没有被连接至所述外部端子；

所述第一散热突起的导热率大于所述绝缘树脂层的导热率；并且

所述绝缘树脂层从所述第一散热突起的前表面至所述散热介质的厚度小于所述绝缘树脂层从所述半导体元件的主表面至所述散热介质的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一散热突起被形成为从所述有源元件区域内部上方延伸至其外面，并且在所述有源元件区域外面被连接至所述外部端子。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一散热突起由与所述连接构件相同的材料制成。

4.根据权利要求1至3中任一所述的半导体装置，其特征在于，所述散热介质的导热率大于所述绝缘树脂层的导热率。

5.根据权利要求1、3和4中任一所述的半导体装置，其特征在于，

所述散热介质是配线板；

所述半导体元件被倒装在所述配线板上；

所述外部端子被由形成于所述配线板上的导体配线的一部分形成；

所述第一散热突起被形成为从所述有源元件区域内部上方延伸至其外面，并且在所述有源元件区域外面被连接至所述外部端子；并且

所述导体配线被形成为从与所述第一散热突起对置的区域经由所述半导体元件的端部部分延伸至没有倒装半导体元件的区域。

6.根据权利要求1至4中任一所述的半导体装置，其特征在于，

所述散热介质是配线板；

所述半导体元件被倒装在所述配线板上；

所述配线板包括：

多个第一导体配线，它们被形成在所述配线板的上表面上；

第二导体配线，其被形成在所述配线板上与形成所述第一散热突起的区域对置的位置；以及

多个第二散热突起，它们被形成在所述第二导体配线上；

所述第一导体配线的一部分用作所述外部端子，并且经由所述连接构件被连接至所述元件电极；

每个所述第二散热突起的顶部部分被相邻的第一散热突起的顶部部分环绕，并且相应的侧表面彼此对置但彼此不接触；并且

绝缘树脂被充填到所述第二散热突起和所述第一散热突起之间的缝隙中。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导体配线在经由连接构件连接至元件电极的一侧的端部部分朝向半导体元件的中心延伸，从而形成所述第二导体配线。

8.根据权利要求1至4中任一所述的半导体装置，其特征在于，

所述散热介质是配线板；

所述半导体元件被倒装在所述配线板上；

所述配线板包括：

多个第一导体配线，它们被形成在所述配线板的上表面上；

第二导体配线，其被形成在所述配线板上与形成所述第一散热突起的区域对置的位置；以及

多个第二散热突起，它们被形成在所述第二导体配线上；

所述元件电极和所述第一导体配线被经由所述连接构件相连接；

每个所述第二散热突起的顶部部分被相邻的第一散热突起的顶部部分环绕，并且相应的侧表面彼此对置并且彼此接触；并且

绝缘树脂被充填到所述第二散热突起和所述第一散热突起之间的缝隙中。

9.一种半导体装置制造方法，包括：

在配线板上形成第一导体配线和第二导体配线；

以相同的厚度，在所述第一导体配线上形成多个配线突起电极并且在所述第二导体配线上形成多个第二散热突起；

使用比所述配线突起电极的材料硬度更高硬度的材料，以相同的厚度，在形成于半导体元件的主表面上的多个元件电极中的每一个上形成元件突起电极并且在形成于所述半导体元件的主表面上的多个散热电极中的每一个上形成第一散热突起；

布置所述配线板和所述半导体元件，使得所述配线突起电极和对应的元件突起电极彼此对置，并且所述第一散热突起和所述第二散热突起建立水平位置关系，其中，其中一个散热突起的顶部部分被相邻的其它散热突起的顶部部分环绕；并且

通过在挤压所述配线突起电极的顶部部分的同时，连接所述元件突起电极和所述配线突起电极，使得所述第一散热突起的顶部部分和所述第二散热突起的顶部部分布置在相应的侧表面彼此对置的位置处，而将半导体元件倒装在配线板上。