[发明专利]在衬底上实现选择性区域电镀的方法有效
申请号: | 200980139228.6 | 申请日: | 2009-11-18 |
公开(公告)号: | CN102171804A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | Y·李;I·萨拉马 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;夏青 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 实现 选择性 区域 电镀 方法 | ||
1.一种在衬底上实现选择性区域电镀的方法,所述方法包括:
在所述衬底上形成第一导电层;
利用阻焊剂层覆盖所述第一导电层;
对所述衬底进行构图以在其中形成特征,所述特征延伸穿过所述阻焊剂层和所述第一导电层;
形成邻接且电连接至所述第一导电层的第二导电层;
在所述第二导电层上形成第三导电层;以及
去除所述阻焊剂层和所述第一导电层。
2.如权利要求1所述的方法,其中:
形成所述第一导电层包括使用第一化学镀工艺形成第一铜层;
形成所述第二导电层包括使用第二化学镀工艺形成第二铜层;
所述第一铜层具有大约0.1微米和大约1.0微米之间的第一厚度;以及
所述第二铜层具有大约等于所述第一厚度的第二厚度。
3.如权利要求1所述的方法,其中:
利用所述阻焊剂层覆盖所述第一导电层包括在所述第一导电层上涂敷光敏阻焊剂膜,所述光敏阻焊剂膜对电磁波长敏感;并且
将所述光敏阻焊剂膜均匀地暴露至所述电磁波长。
4.如权利要求3所述的方法,其中:
在所述第一导电层上涂敷所述光敏阻焊剂膜包括选自由滚筒涂敷、丝网印刷、旋涂和喷涂所组成的组中的一种操作。
5.如权利要求1所述的方法,其中:
对所述衬底进行构图以在其中形成特征包括在所述衬底中形成通孔。
6.如权利要求5所述的方法,其中:
对所述衬底进行构图以在其中形成特征进一步包括在所述衬底中形成嵌入式迹线构图。
7.如权利要求1所述的方法,其中:
形成所述第三导电层包括使用电解电镀工艺利用铜来填充所述特征。
8.如权利要求1所述的方法,其中:
去除所述第一导电层包括采用硫酸基溶液化学蚀刻掉所述第一导电层。
9.一种在衬底上实现选择性区域电镀的方法,所述方法包括:
在所述衬底上形成第一导电层;
利用疏水聚合物层覆盖所述第一导电层;
对所述衬底进行构图以在其中形成特征,所述特征延伸穿过所述疏水聚合物层和所述第一导电层;
形成邻接且电连接至所述第一导电层的第二导电层;
在所述第二导电层上形成第三导电层;以及
去除所述疏水聚合物层和所述第一导电层。
10.如权利要求9所述的方法,其中:
利用所述疏水聚合物层覆盖所述第一导电层包括施加选自由PDMS、PE和PTFE构成的组中的聚合物材料。
11.如权利要求9所述的方法,其中:
形成所述第一导电层包括使用第一化学镀工艺形成第一铜层;
形成所述第二导电层包括使用第二化学镀工艺形成第二铜层;
所述第一铜层具有大约0.1微米和大约1.0微米之间的第一厚度;以及
所述第二铜层具有大约等于所述第一厚度的第二厚度。
12.如权利要求11所述的方法,其中:
对所述衬底进行构图以在其中形成所述特征包括在所述衬底中形成通孔。
13.如权利要求12所述的方法,其中:
对所述衬底进行构图以在其中形成所述特征进一步包括在所述衬底中形成嵌入式迹线构图。
14.如权利要求13所述的方法,其中:
形成所述第三导电层包括使用电解电镀工艺利用铜来填充所述特征。
15.如权利要求14所述的方法,其中:
去除所述第一导电层包括使用硫酸基溶液化学蚀刻掉所述第一导电层。
16.一种在衬底上实现选择性区域电镀的方法,所述方法包括:
在所述衬底上形成第一导电层;
使用等离子体聚合工艺以在所述第一导电层上沉积疏水碳氢化合物膜;
对所述衬底进行构图以在其中形成特征,所述特征延伸穿过所述疏水碳氢化合物膜和所述第一导电层;
形成邻接且电连接至所述第一导电层的第二导电层;
在所述第二导电层上形成第三导电层;以及
去除所述疏水碳氢化合物膜和所述第一导电层。
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