[发明专利]具有其中有间隙的双密封环的集成电路无效
申请号: | 200980139257.2 | 申请日: | 2009-10-01 |
公开(公告)号: | CN102171814A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 诺曼·小弗雷德里克;汤姆·迈尔斯 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L23/58 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 其中 间隙 密封 集成电路 | ||
1.一种用于集成电路的密封系统,其包含:
第一密封环,其限定所述集成电路,所述第一密封环包括至少一个间隙;以及
第二密封环,其限定所述第一密封环,所述第二密封环包括从所述第一密封环的所述至少一个间隙偏移的至少一个间隙。
2.根据权利要求1所述的密封系统,其进一步包含每一间隙下的掺杂较不重的区域,从而增加对跨越所述间隙的信号传播的抵抗力。
3.根据权利要求1所述的密封系统,其进一步包含连接到所述第一密封环的至少一个接地衬垫。
4.根据权利要求1所述的密封系统,其中所述第一密封环包含至少两个间隙,且所述第二密封环包含至少两个间隙。
5.根据权利要求1所述的密封系统,其进一步包含连接到所述第二密封环的至少一个接地衬垫。
6.一种用于集成电路(IC)的密封系统,其包含:
第一密封装置,其限定所述集成电路,所述第一密封装置包括至少一个间隙;以及
第二密封装置,其限定所述第一密封装置,所述第二密封装置包括从所述第一密封装置的所述至少一个间隙偏移的至少一个间隙。
7.根据权利要求6所述的密封系统,其进一步包含每一间隙下的掺杂较不重的区域,从而增加对跨越所述间隙的信号传播的抵抗力。
8.根据权利要求6所述的密封系统,其进一步包含连接到所述第一密封装置的接地装置。
9.根据权利要求6所述的密封系统,其中所述第一密封装置包含至少两个间隙,且所述第二密封装置包含至少两个间隙。
10.根据权利要求6所述的密封系统,其进一步包含连接到所述第二密封装置的接地装置。
11.根据权利要求10所述的密封系统,其中所述接地装置经由所述IC上的引脚而接地。
12.一种用于集成电路的密封系统,其包含:
密封环,其限定所述集成电路,所述密封环包括具有入口部分及出口部分的至少一个沟道,所述入口部分从所述出口部分偏移。
13.根据权利要求12所述的密封系统,其进一步包含所述沟道内的掺杂较不重的区域,借此对跨越所述沟道的信号传播的抵抗力得以增加。
14.根据权利要求12所述的密封系统,其中所述入口与所述出口分离开至少100um。
15.一种用于集成电路的密封系统,其包含:
密封装置,其限定所述集成电路,所述密封装置包括具有入口部分及出口部分的至少一个分离装置,所述入口部分从所述出口部分偏移。
16.根据权利要求15所述的密封系统,其进一步包含所述分离装置内的掺杂较不重的区域,借此对跨越所述分离装置的信号传播的抵抗力得以增加。
17.一种具有密封系统的集成电路,其包含:
第一密封环,其限定所述集成电路,所述第一密封环包括至少一个间隙;以及
第二密封环,其限定所述第一密封环。
18.一种用于形成用于集成电路的密封系统的方法,其包含:
形成限定所述集成电路的第一密封环,所述第一密封环包括至少一个间隙;以及
形成限定所述第一密封环的第二密封环,所述第二密封环包括从所述第一密封环的所述至少一个间隙偏移的至少一个间隙。
19.根据权利要求18所述的用于形成密封系统的方法,其进一步包含在每一间隙下形成掺杂较不重的区域,借此增加对跨越所述间隙的信号传播的抵抗力。
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