[发明专利]半导体基板、电子器件、以及半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种半导体基板，其依次包括底板基板、绝缘层、和Si_xGe_1-x结晶层，其特征在于，

所述Si_xGe_1-x结晶层的至少一部分区域被退火，

所述半导体基板包括在所述至少一部分区域上与所述Si_xGe_1-x结晶层晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体，

其中，0≤x＜1。

2.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述Si_xGe_1-x结晶层具有不会因所述退火中产生的热应力而引起缺陷的大小，

其中，0≤x＜1。

3.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

还包括缺陷捕捉部，其捕捉在所述Si_xGe_1-x结晶层的内部产生的缺陷；

从所述Si_xGe_1-x结晶层中包含的任意一点至所述缺陷捕捉部的最大距离比所述退火中所述缺陷能够移动的距离小，

其中，0≤x＜1。

4.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述Si_xGe_1-x结晶层等间隔地设置于所述绝缘层上，

其中，0≤x＜1。

5.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

还包括抑制所述化合物半导体的晶体生长的抑制层，

所述抑制层包括贯通至所述Si_xGe_1-x结晶层的开口，

其中，0≤x＜1。

6.根据权利要求5所述的半导体基板，其特征在于，

所述抑制层形成在所述Si_xGe_1-x结晶层上，

其中，0≤x＜1。

7.根据权利要求5所述的半导体基板，其特征在于，

所述开口具有小于的纵横比。

8.根据权利要求5所述的半导体基板，其特征在于，

所述化合物半导体包括：

在所述开口内部的所述Si_xGe_1-x结晶层上晶体生长得比所述抑制层的表面更凸出的晶种化合物半导体晶体，和

以所述晶种化合物半导体晶体为核、沿所述抑制层横向生长的横向生长化合物半导体晶体，

其中，0≤x＜1。

9.根据权利要求8所述的半导体基板，其特征在于，

所述横向生长化合物半导体晶体包括：

以所述晶种化合物半导体晶体为核、沿所述抑制层横向生长的第1化合物半导体晶体，和

以所述第1化合物半导体晶体为核、沿所述抑制层且与所述第1化合物半导体晶体不同的方向横向生长的第2化合物半导体晶体。

10.根据权利要求5所述的半导体基板，其特征在于，

多个所述开口等间隔地设置在所述Si_xGe_1-x结晶层上，

其中，0≤x＜1。

11.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述Si_xGe_1-x结晶层的与所述化合物半导体的界面利用气体的P化合物进行表面处理，

其中，0≤x＜1。

12.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述化合物半导体是III-V族化合物半导体或者II-VI族化合物半导体。

13.根据权利要求12所述的半导体基板，其特征在于，

所述化合物半导体是III-V族化合物半导体，作为III族元素包含Al、Ga、和In中至少一个，作为V族元素包含N、P、As、和Sb中至少一个。