[发明专利]等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法

权利要求书

1.一种等离子体源，其包括：

第一电子发射表面和第二电子发射表面；

其中所述电子发射表面电连接到电源上，该电源供应在正和负之间交变的电压；

其中所述电子发射表面被气体容纳空间分开；

其中供应至第二电子发射表面的电压与供应至第一电子发射表面的电压不同相；

其中包含二次电子的电流在所述电子发射表面之间流动；以及

其中在所述电子发射表面之间产生等离子体，其中所述等离子体是线性的并且长度为至少大约0.5米，并且被设定为在基本上没有闭路电子漂移的情况下在其长度上基本上均匀。

2.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述电子发射表面被相互分开至少大约1毫米到至少大约0.5米。

3.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，由所述等离子体源所产生的等离子体为至少大约一米长。

4.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述电子发射表面处于至少大约600℃到至少大约2000℃的温度。

5.如权利要求4所述的等离子体源，其特征在于，所述电子发射表面处于至少大约800℃到至少大约1200℃的温度。

6.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述电流流过设置在所述电子发射表面中的小孔或者限流孔。

7.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述气体容纳空间容纳前驱气体、反应气体或者其组合物。

8.如权利要求7所述的等离子体源，其特征在于，所述前驱气体包含金属、过渡金属、硼、碳、硅锗、硒或者其组合物。

9.如权利要求7所述的等离子体源，其特征在于，所述反应气体包括氧气、氮气、卤素、氢气或者其组合物。

10.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述等离子体源能够以至少大约0.2μm/秒的沉积速率产生涂层。

11.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述等离子体源能够以至少大约0.3μm/秒的沉积速率产生涂层。

12.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述等离子体源能够以至少大约0.5μm/秒的沉积速率产生涂层。

13.一种由权利要求1的等离子体源所产生的涂层。

14.一种等离子体源，其包括：

多个电子发射表面对，其中每个电子发射表面对都包括第一电子发射表面和第二电子发射表面，

其中所述多个电子发射表面对相邻地设置成阵列；

其中每个电子发射表面对被气体容纳空间分开；

其中每个电子发射表面对电连接到电源上，该电源供应在正和负之间交变的电压；

其中供应给每对表面中的第二电子发射表面的电压与供应给每对表面中的第一电子发射表面的电压不同相；

其中包含二次电子的电流在每对电子发射表面之间流动；以及

其中由每对电子发射表面之间所产生的等离子体形成了二维的等离子体；并且其中所述二维的等离子体的长度为至少大约0.5米，并且被设定为在基本上没有闭路电子漂移的情况下在两个尺寸上基本上均匀。

15.如权利要求14所述的等离子体源，其特征在于，每对电子发射表面被相互分开至少大约1毫米到至少大约0.5米。

16.如权利要求14所述的等离子体源，其特征在于，由所述等离子体源所产生的二维等离子体为至少大约一米长。

17.如权利要求14所述的等离子体源，其特征在于，每对电子发射表面处于至少大约600℃到至少大约2000℃的温度。

18.如权利要求17所述的等离子体源，其特征在于，每对电子发射表面处于至少大约800℃到至少大约1200℃的温度。

19.如权利要求14所述的等离子体源，其特征在于，所述电流流过设置在每对电子发射表面中的小孔或者限流孔。

20.如权利要求14所述的等离子体源，其特征在于，所述气体容纳空间容纳前驱气体、反应气体或者其组合物。