[发明专利]真空处理装置

权利要求书

1.一种真空处理装置，其特征在于，包括：

能够维持真空状态且在使基片被置于水平的状态下对该基片进行处理的卧式处理单元；

能够维持真空状态且在使所述基片被置于竖立的状态下对该基片进行处理的立式处理单元；

能够维持真空状态且与所述卧式处理单元与所述立式处理单元连接、用于变换所述基片的状态的变换室。

2.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，

所述卧式处理单元包括：

用于形成第1膜的第1成膜室；

与所述第1成膜室与所述变换室连接、能够将所述基片送入所述第1成膜室与所述变换室且能够将所述基片从所述第1成膜室与所述变换室运出的传送室，

所述立式处理单元包括：

用于形成不同于所述第1膜的第2膜的第2成膜室；

与所述第2成膜室与所述变换室连接的缓冲室。

3.根据权利要求2所述的真空处理装置，其特征在于，

所述卧式处理单元为在所述传送室的周围设置包含所述第1成膜室在内的多个处理腔室的组合式处理单元。

4.根据权利要求2所述的真空处理装置，其特征在于

所述立式处理单元为包含所述第2成膜室在内的多个处理腔室被配置为直线状的直列式处理单元。

5.根据权利要求2所述的真空处理装置，其特征在于，

所述第1成膜室为CVD(Chemical Vapor Deposition)室。

6.根据权利要求5所述的真空处理装置，其特征在于，

所述CVD室为用于形成场效应晶体管的栅极绝缘膜与阻挡层这二者中的至少一个的CVD室，其中，在栅极绝缘膜之上形成有活性层，所述止挡层形成在活性上对该活性层进行保护以使该活性层不受用于对该活性层进行蚀刻的蚀刻剂的侵蚀。

7.根据权利要求2所述的真空处理装置，其特征在于，

所述第2成膜室为溅射室。

8.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，

所述立式处理单元具有用于通过溅射而形成场效应晶体管的活性层以及阻挡层，其中，活性层具有In-Ga-Zn-O系组分，阻挡层形成在该活性层之上对该活性层进行保护以使该活性层不受用于对该活性层进行蚀刻的蚀刻剂的侵蚀。

9.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，

所述立式处理单元具有第1溅射室与第2溅射室，

其中，所述第1溅射室用于通过溅射而形成场效应晶体管的具有In-Ga-Zn-O系组分的活性层，

所述第2溅射室用于通过溅射而在所述活性层上形成阻挡层，该阻挡层保护该活性层以使该活性层不受用于对该活性层进行蚀刻的蚀刻剂的侵蚀。

10.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，

所述立式处理单元包括多个所述直列式处理单元。