[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置(1)，其具有：

-至少一个光电子半导体器件(2)，所述至少一个光电子半导体器件在工作中以至少一个第一波长(L1)和至少一个第二波长(L2)来发射电磁辐射，其中第一波长(L1)与第二波长(L2)彼此不同并且都在500nm以下，以及

-至少一个转换装置(3)，所述转换装置将第一波长(L1)至少部分地转换为其他频率的辐射，使得发光装置(1)在工作中所发射的辐射光谱与黑体光谱是条件等色的。

2.根据权利要求1所述的发光装置(1)，其中半导体器件(2)包括至少一个以第一波长(L1)来发射的半导体芯片(20a)和至少一个以第二波长(L2)来发射的半导体芯片(20b)。

3.根据权利要求1或2所述的发光装置(1)，其中半导体器件(2)包括至少一个半导体芯片(20)，所述半导体芯片包含至少两个有源区(21a，21b)，并且其中有源区(21a，21b)中的至少一个第一有源区设置为在工作中发射第一波长(L1)的辐射，其中有源区(21a，21b)中的至少一个第二有源区设置为在工作中发射第二波长(L2)的辐射。

4.根据上述权利要求之一所述的发光装置(1)，其中半导体器件(2)具有带有有源区(21)的至少一个半导体芯片(20)，该有源区具有第一部分(22)和第二部分(23)，其中在工作中第一部分(22)发射第一波长(L1)的辐射并且第二部分(23)发射第二波长(L2)的辐射。

5.根据上述权利要求之一所述的发光装置(1)，其中第一波长(L1)与第二波长(L2)在光谱中彼此间隔至少10nm。

6.根据上述权利要求之一所述的发光装置(1)，其中半导体器件(2)所发射的辐射的光谱宽度至少为50nm。

7.根据上述权利要求之一所述的发光装置(1)，该发光装置的显色指数R_a为至少80。

8.根据上述权利要求之一所述的发光装置(1)，该发光装置的效率为至少60lm/W。

9.根据上述权利要求之一所述的发光装置(1)，该发光装置的色温在2500K和6500K之间，其中包括边界值。

10.根据上述权利要求之一所述的发光装置(1)，其中转换装置(3)将第一波长(L1)中的比第二波长(L2)的相应比例大至少5个百分点的比例的第一波长转换为其他波长的辐射。

11.根据上述权利要求之一所述的发光装置(1)，其中第一波长(L1)在430nm左右并且第二波长(L2)在470nm左右，其中公差分别为10nm。

12.根据上述权利要求之一所述的发光装置(1)，其中半导体器件(2)包括至少一个半导体芯片(2)，所述半导体芯片在工作中发射具有至少600nm的第三波长的光。

13.根据上述权利要求之一所述的发光装置(1)，该发光装置包括调节单元(5)，通过该调节单元能够调节第一波长(L1)与第二波长(L2)之间的强度比例。

14.根据上述权利要求之一所述的发光装置(1)，其中，第二波长(L2)与转换装置(3)的主工作范围(H)相比处于更小的波长。