[发明专利]体电容器和方法无效
申请号: | 200980139993.8 | 申请日: | 2009-09-03 |
公开(公告)号: | CN102177562A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | R·卡特拉奥;N·科亨;M·克拉夫契克-沃尔夫松;E·别尔莎德斯基;J·巴尔蒂图德 | 申请(专利权)人: | 维莎斯普拉格公司 |
主分类号: | H01G9/042 | 分类号: | H01G9/042;H01G9/00;H01G9/15;H01G9/052 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;夏青 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容器 方法 | ||
1.一种体电容器,包括:
由金属箔形成的第一电极,
沉积在所述金属箔上的半导电多孔陶瓷体,
形成于所述多孔陶瓷体上的电介质层,以及
填充多孔陶瓷体的至少一部分从而形成第二电极的导电介质。
2.根据权利要求1所述的体电容器,还包括封装所述多孔陶瓷体的导电金属层。
3.根据权利要求2所述的体电容器,其中所述导电金属层包括银。
4.根据权利要求1所述的体电容器,还包括设置于所述金属箔和所述多孔陶瓷体之间的半导电陶瓷层。
5.根据权利要求1所述的体电容器,其中所述金属箔具有几何轮廓。
6.根据权利要求1所述的体电容器,其中所述导电介质包括导电聚合物。
7.根据权利要求1所述的体电容器,其中在所述多孔陶瓷体的自由表面上形成电介质层。
8.根据权利要求1所述的体电容器,其中在所述多孔陶瓷体和所述金属箔上形成所述电介质层。
9.根据权利要求1所述的体电容器,还包括耦合到所述第一电极的第一电引线和耦合到所述第二电极的第二电引线,其中所述第一电引线和第二电引线被配置成与位于安装基板上的第一和第二导电焊盘配合。
10.根据权利要求9所述的体电容器,其中所述第一和第二电极通过导电粘合剂结合到所述第一和第二导电焊盘。
11.根据权利要求10所述的体电容器,还包括设置于所述第一和第二电引线之间的不导电粘合剂。
12.一种制造体电容器的方法,所述方法包括:
在包括金属箔的第一电极上形成导电多孔陶瓷体,
氧化所述多孔陶瓷体以形成电介质层,以及
利用导电介质填充所述多孔陶瓷体,从而形成第二电极。
13.根据权利要求12所述的方法,还包括利用导电金属层封装所述多孔陶瓷体。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述导电金属层包括银。
15.根据权利要求12所述的方法还包括,还包括在所述金属箔和所述多孔陶瓷体之间形成半导电陶瓷层。
16.根据权利要求12所述的方法,还包括在所述金属箔中形成几何轮廓。
17.根据权利要求12所述的方法,其中,以加热方式执行所述氧化。
18.根据权利要求12所述的方法,其中以电化学方式执行所述氧化。
19.根据权利要求12所述的方法,其中所述导电介质包括导电聚合物。
20.根据权利要求12所述的方法,其中在所述多孔陶瓷体和所述金属箔上形成所述电介质层。
21.根据权利要求12所述的方法,其中第一电引线耦合到所述第一电极,第二电引线耦合到所述第二电极,其中所述第一电引线和第二电引线被配置成与位于安装基板上的第一和第二导电焊盘配合。
22.根据权利要求21所述的方法,其中所述第一和第二电极通过导电粘合剂结合到所述第一和第二导电焊盘。
23.根据权利要求22所述的方法,其中在所述第一和第二电引线之间设置不导电粘合剂。
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