[发明专利]用于外延剥离的台面蚀刻方法和组成

权利要求书

1.一种用于在外延剥离过程期间形成薄膜材料的方法，包括：

在选择性蚀刻过程期间，将基底暴露给包括琥珀酸的选择性蚀刻溶液，其中所述基底包括布置在叠层外延材料上的支持柄，所述叠层外延材料布置在蚀刻停止层上，所述蚀刻停止层布置在所述基底上；以及

将所述叠层外延材料从所述基底上剥落。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述选择性蚀刻溶液还包括氢氧化铵化合物。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述氢氧化铵化合物是氢氧化铵、烷基氢氧化铵或其衍生物。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述氢氧化铵化合物是氢氧化铵。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述选择性蚀刻溶液还包括氧化剂。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述氧化剂包括试剂，所述试剂选自由过氧化氢、有机过氧化物、臭氧、水、其衍生物以及其组合组成的组。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述氧化剂包括过氧化氢。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述选择性蚀刻溶液还包括过氧化氢、氢氧化铵以及水。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述选择性蚀刻溶液包括约5％到约25％重量浓度的琥珀酸。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述选择性蚀刻溶液包括约0.5％到约5％重量浓度的过氧化氢。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述选择性蚀刻溶液包括约0.5％到约5％重量浓度的氢氧化铵。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述选择性蚀刻溶液包括约70％到约95％重量浓度的水。

13.如权利要求8所述的方法，其中所述选择性蚀刻溶液包括：

约10％到约20％重量浓度的琥珀酸；

约1％到约3％重量浓度的过氧化氢；

约1％到约3％重量浓度的氢氧化铵；以及

约74％到约88％重量浓度的水。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述选择性蚀刻溶液具有约3.6到约4.8的pH值。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述叠层外延材料包括砷化镓，而所述蚀刻停止层包括砷化铝。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述叠层外延材料包括包围所述砷化镓的至少一部分的粘着剂。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述粘着剂包括聚合物，所述聚合物选自由聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯、其衍生物以及其组合组成的组。

18.如权利要求16所述的方法，其中所述粘着剂是包围所述砷化镓的至少一部分的压敏粘着层叠薄片。

19.如权利要求16所述的方法，其中所述粘着剂是包围所述砷化镓的至少一部分的热熔胶。

20.如权利要求1所述的方法，其中所述GaAs/AlAs选择性是约1000或更大。

21.如权利要求20所述的方法，其中所述GaAs/AlAs选择性是约1400或更大。

22.如权利要求1所述的方法，还包括在将所述基底暴露给所述选择性蚀刻溶液之前，在非选择性蚀刻过程期间，将所述基底暴露给非选择性蚀刻溶液。

23.如权利要求22所述的方法，其中所述非选择性蚀刻溶液包括硫酸和过氧化氢。

24.如权利要求23所述的方法，其中所述非选择性蚀刻溶液包括约0.4％到约2％体积浓度的硫酸。

25.如权利要求23所述的方法，其中所述非选择性蚀刻溶液包括约1％到约5％体积浓度的过氧化氢。

26.一种用于在外延剥离过程期间形成薄膜材料的方法，包括：

在选择性蚀刻过程期间，将基底暴露给选择性蚀刻溶液，其中所述基底包括布置在叠层外延材料上的支持柄，所述叠层外延材料布置在蚀刻停止层上，所述蚀刻停止层布置在所述基底上，而所述选择性蚀刻溶液包括琥珀酸、过氧化氢、以及氢氧化铵化合物；以及

在所述选择性蚀刻过程期间，在压缩所述叠层外延材料的同时，将所述叠层外延材料从所述基底上剥落。