[发明专利]大功率光老化

说明书

技术领域

本发明总体上涉及对半导体激光器的测试。更具体地，本发明的实施例涉及大功率光老化。

背景技术

通常在诸如激光二极管的光学部件的生产中利用老化过程。由于制造技术和材料上的不一致，光学部件可能具有与设计或理论寿命周期明显不同的实际寿命周期。工业标准是使光学部件在制造工厂中工作一段延长的时段，而期望那些生命周期比理想的短的光学部件在初始工作期间发生故障。因此，这些发生故障的光学部件不会从制造工厂中出厂来阻碍光学网络中的数据流。

在传统的激光二极管制造的情况下，激光二极管的老化包括在提高的环境温度下使激光二极管工作一个延长的时段。这种类型的老化通常称为高温热老化(“TBI”)。这种高温条件通过加热晶格使激光二极管的材料更软，以允许点缺陷和位错比在低温时更容易移动穿过材料。因此，在这些高温下使激光二极管工作一个长的时段，有利于对有缺陷的和/或不耐用(weak)的器件的鉴别，由此筛选出那些具有过早发生故障的趋势的激光二极管。

已发现传统的TBI处理适于筛选特定类型的激光器，诸如由磷砷化镓铟(“InGaAsP”)制成的10G的激光器，其由于所使用的半导体材料而具有天生可靠的结构。然而，显然，传统的TBI可能无法适当地筛选出由诸如砷化铟铝镓(“InAlGaAs”)等其他材料制成的激光器，这些材料可能具有天生不太可靠的结构。即使如此，由于在高速率和/或高温时的性能特性更好，由InAlGaAs制成的激光器可能比由InGaAsP制成的激光器更理想。

这里所要求保护的主题内容并不限于要解决任何缺点的实施例或仅在诸如在上述环境的环境中使用的实施例。而是，提供此背景技术仅为了阐明一个示例性技术领域，这里所描述的一些实施例可以在该技术领域中实践。

发明内容

提供本发明内容来以简化的形式引入对概念的选择，这将在下述具体实施方式中进一步描述。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题内容的关键特征或基本特性，也不意在用作确定所要求保护的主题内容的范围时的辅助。

本发明的实施例涉及用于使一个或多个半导体激光器老化以鉴别不耐用的或有缺陷的器件的方法，并且可以包括大功率光老化(“OBI”)处理。根据本发明实施例的大功率OBI可以包括给一个或多个被测试激光器提供相对大的驱动电流。相对大的驱动电流可以在提高的温度(例如，85℃)下的正常工作偏置电流的三倍到四倍的范围内。在大功率OBI期间，环境温度可以维持在相对低的温度或其左右，诸如50℃或更低。相对大的驱动电流和相对低的温度可以维持一个特定时间段，在一些实施例中可以是五小时或更长。

一旦大功率OBI结束，可以测量激光器的光输出功率以确定激光器是否仍在规格范围内工作。大功率OBI之后测量的光输出功率可以与大功率OBI之前测量的光输出功率相比，并且/或者与指定最小值相比。

在一些实施例中，激光器可以进一步受到高温TBI，以鉴别没有被大功率OBI鉴别出的任何有缺陷的或不耐用的器件。在高温TBI期间，激光器的环境温度可以维持在大约85℃的温度。

本发明的附加特征和优点将在以下说明中阐述，并且将根据该说明而部分地变得明显，或者可以通过对本发明的实践而获知。本发明的特征和优点可以通过在所附权利要求中所特别指出的工具及组合而实现和获得。本发明的这些和其他特征将根据以下说明及所附权利要求而变得更加显而易见，或者可以通过下文所阐述的对本发明的实践而获知。

附图说明

为了进一步阐明本发明的上述及其他优点和特征，通过参照在附图中所示出的本发明的特定实施例，将提出对本发明的更具体的描述。要理解，这些附图仅描述了本发明的典型实施例，因此并不应认为其限制了本发明的范围。通过使用附图，将借助于额外的独特性和细节来描述及解释本发明，其中：

图1示出示例工作环境，其中可以实现本发明的实施例；

图2示出激光二极管的示例，其可以在图1的工作环境中实现；

图3A和3B公开激光器的不同样本集的寿命曲线；

图4A和4B描述经受不同持续时长的高功率OBI的InAlGaAs激光器的样本集的寿命曲线；

图5公开了根据本发明实施例的示例测试设置；

图6示出用于进行高功率OBI的方法的实施例；

图7描述了用于使激光器老化以鉴别不耐用的或有缺陷的器件的方法的实施例。

具体实施方式