[发明专利]在具有废气再循环的内燃机中确定总的气缸充气和/或当前的残余气体率的方法和装置有效
申请号: | 200980140626.X | 申请日: | 2009-10-08 |
公开(公告)号: | CN102187074A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | M.舒尔特莫恩廷;J.贝尔克默 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | F02D41/00 | 分类号: | F02D41/00;F02M25/07 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 宣力伟;梁冰 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 废气 再循环 内燃机 确定 总的 气缸 充气 当前 残余 气体 方法 装置 | ||
1. 用于确定在具有废气再循环的内燃机(2)的气缸中的总的气缸充气(rfrges)的方法,其中废气在导入位置(10)处回输到用于将气体混合物输入气缸(3)中的进气管(4)中,其中总的气缸充气(rfrges)说明瞬时的、在气缸(3)中的总的气体量,
其中总的气缸充气(rfrges)根据输入进气管(4)中的气体质量流的和并根据描述进气管(4)关于在那里产生的进气管压力的动态特性的第一动态校正系数(fvisrm)求出。
2. 根据权利要求1所述的方法,其中总的气缸充气(rfrges)根据瞬时的进气管压力(ps)求出,其中瞬时的进气管压力(ps)通过利用第一动态校正系数(fvisrm)作用的、在未过滤的说明充气的通过输入进气管(4)的气体质量流所产生的气缸充气与总的气缸充气(rfrges)之间的差的积分确定。
3. 根据权利要求2所述的方法,其中总的气缸充气(rfrges)作为根据瞬时的进气管压力(ps)、根据瞬时的发动机转速(nmot)和根据校正系数、特别是用于匹配环境压力的高度系数(fho)和用于考虑在气缸(3)中的气体温度的燃烧室温度系数(ftbr)的函数求出。
4. 用于确定在具有废气再循环的内燃机(2)的气缸(3)中的当前的残余气体率(rragrzw)的方法,其中废气在导入位置(10)处回输到用于将气体混合物输入气缸(3)中的进气管(4)中,其中残余气体率(rragrzw)说明废气在位于气缸(3)中的总的气体中的瞬时份额,该方法具有下面的步骤:
- 执行根据权利2或3的方法,以确定瞬时的进气管压力(ps);
- 根据废气-部分压力(psrext)以及根据瞬时的进气管压力(ps)求出残余气体率(rragrzw),其中废气-部分压力根据输入进气管的废气质量流、根据描述进气管(4)在考虑导入位置(10)关于出现的废气-部分压力(psrext)的情况下的动态特性的第二动态校正系数并且根据瞬时的废气-气缸充气确定。
5. 根据权利要求4所述的方法,其中瞬时的废气-气缸充气根据残余气体率(rragrzw)和总的气缸充气(rfrges)确定。
6. 根据权利要求4或5所述的方法,其中废气-部分压力(psrext)通过利用第二动态校正系数作用的、在AGR-充气份额和废气-气缸充气之间的差的积分确定,其中AGR-充气份额说明废气在气缸(3)中的充气,它由于瞬时输入进气管(3)的废气质量流产生。
7. 用于确定在具有废气再循环的内燃机(2)的气缸(3)中的瞬时的空气充气(rlfgsb)的方法,其中废气在导入位置(10)处回输到用于将气体混合物输入气缸(3)中的进气管(4)中,该方法具有下面的步骤:
- 根据按照权利要求1至3中任意一项所述的方法求出总的气缸充气(rfrges);
- 按照根据权利要求4至6中任意一项所述的方法提供残余气体率(rragrzw)或者确定残余气体率(rragrzw);
- 根据总的气缸充气(rfrges)和残余气体率(rragrzw)确定瞬时的空气充气(rlfgsb)。
8. 用于控制内燃机(2)的方法,具有下面的步骤:
- 根据按照权利要求7的方法确定瞬时的空气充气;
- 根据瞬时的空气充气(rlfgsb)控制内燃机(2)的节气门(11)的位置和/或燃料喷入内燃机(2)的进气管(4)中的喷射量和/或用于点燃空气/燃料混合物的点火角。
9. 用于控制内燃机(2)的发动机控制单元,它设计成用于执行根据权利要求1至8中任意一项所述的方法。
10. 计算机程序,它包含程序代码,如果该程序代码在数据处理单元上执行,则执行根据权利要求1至8中任意一项所述的方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司,未经罗伯特·博世有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980140626.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高迁移率Ⅲ-Ⅴ族半导体MOS界面结构
- 下一篇:封装结构