[发明专利]有机硫化合物,有机硫化合物的制备方法,及使用有机硫化合物的有机电致发光元件有效

专利信息
申请号: 200980140717.3 申请日: 2009-08-13
公开(公告)号: CN102186813A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 城户淳二;村上正 申请(专利权)人: 宇部兴产株式会社
主分类号: C07C317/14 分类号: C07C317/14;C07C315/04;C07D213/34;C09K11/06;H01L51/50
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李新红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有机 硫化 制备 方法 使用 电致发光 元件
【说明书】:

技术领域

本发明涉及有机硫化合物,所述有机硫化合物可用于例如有机电致发光元件的电子传输材料、空穴阻挡材料和主体材料,所述有机电致发光元件在下文中可能偶尔被缩写为有机EL元件;以及涉及制备所述有机硫化合物的方法。

背景技术

各种材料作为有机EL元件的电子传输和空穴阻挡材料而被提出。有机硫化合物示例在关于特征在于其它化学结构部分的文献中,专利文件1(苯并异吲哚系化合物),专利文件2和3(咔唑系化合物),和专利文件4(具有五苯基取代的苯基骨架的化合物)。然而在这些文献中,没有描述所示例的有机硫化合物的详细说明,也没有将它们应用于元件的具体实例的描述。

之前,具有根据本发明化合物结构的化合物并不知晓,并且其作为有机EL材料的应用还完全未被考虑。

文献列表

专利文件1:日本公开专利公布2007-277221

专利文件2:日本公开专利公布2002-8860

专利文件3:日本公开专利公布2007-254297

专利文件4:日本公开专利公布2006-135160

发明概述

本发明要解决的问题

本发明的问题是解决上述问题,并且提供可借助于简单方法用作有机电致发光元件的电子传输材料、空穴阻挡材料和主体材料的有机硫化合物。

解决问题的手段

本发明涉及由通式(a1)表示的有机硫化合物:

其中,

A表示-S-,-S(O)-或-S(O)2-,

Z1和Z4彼此独立地表示三价芳族烃基或除咔唑基以外的芳族杂环基,所述三价芳族烃基或除咔唑基以外的芳族杂环基可以具有取代基,

Z2和Z3彼此独立地表示二价芳族烃基或芳族杂环基,所述二价芳族烃基或芳族杂环基可以具有取代基,

Ar1,Ar2,Ar3和Ar4彼此独立地表示芳族烃基或除咔唑基以外的芳族杂环基,所述芳族烃基或除咔唑基以外的芳族杂环基可以具有取代基,和

n是0或1,并且两个n可以相同或不同,

或者,

由通式(b1)表示的有机硫化合物:

其中,

A表示-S-,-S(O)-或-S(O)2-,

Z5表示三价芳族烃基或芳族杂环基,所述三价芳族烃基或芳族杂环基可以具有取代基,

Ar表示m价芳族烃基或芳族杂环基,所述m价芳族烃基或芳族杂环基可以具有取代基,

Ar1和Ar2彼此独立地表示关于所述通式(a1)限定的含义,

m是2或3,

其中存在于所述式中并且出现m次的A,Z5,Ar1和Ar2在每次出现时,均可以彼此相同或不同。

发明效果

本发明的有机硫化合物可以优选用作有机EL元件中的电子传输,空穴阻挡材料,主体材料。

附图简述

图1显示在元件制造实施例1至4中制造的有机EL元件的层构造。

图2显示在元件制造实施例5至7中制造的有机EL元件的层构造。

实施方案的说明

分两组即分为属于上述通式(a1)的化合物和属于上述通式(b1)的化合物来说明本发明的有机硫化合物。

在本申请中,一价、二价和三价″芳族烃基″表示其中从芳族烃化合物中移除了价数的H的残基。以同样的方式,一价、二价和三价″芳族杂环基″表示其中从芳族杂环化合物中移除了价数的H的残基。

通式(a1)如下。

通式(a1)中,每个参数表示下列含义。在通式(a1),A表示硫醚基、亚磺酰基或磺酰基,即下列式中的任意基团之一。

-S-,

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