[发明专利]喷涂用正型感光性树脂组合物及使用该组合物的贯通电极的制造方法

权利要求书

1.一种正型感光性树脂组合物，其是用于在半导体晶片的厚度方向上所设置的孔的内面形成涂膜的喷涂用正型感光性树脂组合物，包含：

(A)碱溶性树脂，

(B)光致产酸化合物，以及

(C)溶剂；

并且，前述正型感光性树脂组合物的粘度是0.5～200cP。

2.如权利要求1所述的正型感光性树脂组合物，其中，

剪切速度为0.1rpm/s下的动态粘度η0.1与剪切速度为100rpm/s下的动态粘度η100的动态粘度比A即η0.1/η100是1.5～400，

并且，前述动态粘度η100与剪切速度为1000/s下的动态粘度η1000的动态粘度比B即η100/η1000是0.6～5.0。

3.如权利要求1或2所述的正型感光性树脂组合物，其中，前述溶剂包含沸点是140℃～210℃的第一溶剂和沸点是50℃～140℃的第二溶剂。

4.如权利要求1或2所述的正型感光性树脂组合物，其中，前述溶剂包含沸点是140℃～210℃的第一溶剂和沸点是50℃～120℃的第二溶剂。

5.如权利要求3或4所述的正型感光性树脂组合物，其中，前述第一溶剂溶解前述碱溶性树脂，前述第二溶剂提高前述正型感光性树脂组合物的挥发性。

6.如权利要求3～5中任一项所述的正型感光性树脂组合物，其中，前述第一溶剂含有γ-丁内酯。

7.如权利要求3～6中任一项所述的正型感光性树脂组合物，其中，前述第二溶剂含有由乙酸乙酯、2-甲基四氢呋喃、丙酸乙酯、乙酸叔丁酯、丙二醇单甲醚、3-甲基四氢呋喃、乙酸仲丁酯、乙酸正丁酯和乙酸异丁酯所组成的组中选出的至少一种。

8.如权利要求3～7中任一项所述的正型感光性树脂组合物，其中，前述第二溶剂的含量是前述溶剂总量的50～95重量％。

9.如权利要求1～8中任一项所述的正型感光性树脂组合物，其中，前述碱溶性树脂选自：具有聚苯并噁唑结构和聚酰亚胺结构中的至少一者并且在主链或侧链上具有羟基、羧基、醚基、酯基或它们的组合的树脂；具有聚苯并噁唑前驱体结构的树脂；具有聚酰亚胺前驱体结构的树脂；或具有聚酰胺酸酯结构的树脂。

10.如权利要求1～9中任一项所述的正型感光性树脂组合物，其中，前述碱溶性树脂的含量是组合物总量的0.1～50重量％。

11.如权利要求1～10中任一项所述的正型感光性树脂组合物，其中，前述光致产酸化合物含有使1，2-萘醌-2-二叠氮基-5-磺酸和1，2-萘醌-2-二叠氮基-4-磺酸中的任一种与酚化合物反应而获得的酯化合物。

12.如权利要求1～11中任一项所述的正型感光性树脂组合物，其中，前述光致产酸化合物的含量是前述碱溶性树脂含量的1～50重量％。

13.如权利要求1～12中任一项所述的正型感光性树脂组合物，其中，在使用γ-丁内酯进行测定时的接触角为89～97°的硅晶片上，滴加一滴即15mg前述正型感光性树脂组合物，使前述硅晶片以80°角度立起而固定，并放置3分钟所得到的涂膜在垂直方向的落下长度的最大值作为A，在水平方向的扩散宽度的最大值作为B时，以A与B的比值A/B所定义的湿润扩散性为0.1～20。

14.一种贯通电极的制造方法，是用于使设置在半导体晶片表面的集成电路与设置在前述半导体晶片背面的连接端子电连接的贯通电极的制造方法，包括：

涂膜形成工序，以露出设置在前述半导体晶片表面的集成电路的电极部背面的至少一部分的方式，在半导体晶片的厚度方向上设置有孔，并且以覆盖所述孔的内面的方式，喷涂权利要求1～11中任一项所述的正型感光性树脂组合物，由此形成涂膜；以及

图案形成工序，对形成于前述电极部背面上的涂膜的至少一部分进行曝光后，对所曝光的部分进行显影，由此形成露出前述电极部背面的至少一部分的涂膜图案。

15.如权利要求14所述的贯通电极的制造方法，其中，还包括：

金属膜形成工序，在由前述图案形成工序所形成的涂膜图案上，形成金属膜，该金属膜用于使前述电极部的背面与设置在前述半导体晶片背面的连接端子电连接。

16.如权利要求14所述的贯通电极的制造方法，其中，当有绝缘膜介于前述孔的内面与前述涂膜之间时，所述制造方法还包括：

金属膜形成工序，将由前述图案形成工序所形成的涂膜图案作为绝缘膜的图案形成用掩模来使用，从而形成绝缘膜图案，在所得到的绝缘膜图案上形成金属膜，该金属膜用于使前述电极部的背面与设置在前述半导体晶片背面的连接端子电连接。