[发明专利]用于测量磁场的方向和/或强度的装置

权利要求书

1.用于测量磁场的方向和/或强度的装置，包含用于检测第一空间方向上的第一磁场分量的第一传感器(12，13，14)，用于检测第二空间方向上的第二磁场分量的第二传感器(12，13，14)和用于检测第三空间方向上的第三磁场分量的第三传感器(12，13，14)，其特征在于，所述第一传感器包含至少一个霍尔传感器(12)，并且所述第二传感器和/或所述第三传感器包含至少一个磁通门传感器(13，14)。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，至少所述第一传感器、所述第二传感器和所述第三传感器(12，13，14)设置在一个衬底上。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，在所述衬底上设置有至少一个另外的电子部件(16)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其特征在于，所述衬底被构造为半导体衬底并且这些传感器(12，13，14)是通过CMOS工艺制造的。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其特征在于，至少一个磁通门传感器(13，14)是通过平面线圈技术或3D微线圈技术构造的。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，其特征在于，至少一个磁通门传感器(13，14)包含芯，所述芯是借助于气相沉积以及随后的结构化构造的。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的装置，其特征在于，设有至少两个磁通门传感器(13，14)，所述至少两个磁通门传感器被设置用于测量彼此正交的方向上的磁场。

8.移动电话，具有根据权利要求1至7中任一项所述的装置。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的装置的应用，用于测量地磁场的方向和/或强度。