[发明专利]低压自校准CMOS峰值检测器有效
申请号: | 200980140886.7 | 申请日: | 2009-10-07 |
公开(公告)号: | CN102187575A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 杰恩-罗伯特·图瑞特 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H03K5/1532 | 分类号: | H03K5/1532;G01R19/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低压 校准 cmos 峰值 检测器 | ||
1.一种电路装置(100),包含:
-具有第一输入端(+)和第二输入端(-)的第一比较器(122),当所述第一和第二输入端(+、-)短路时,所述第一比较器具有第一输入偏移电压(V′off1);
-具有第三输入端(+)和第四输入端(-)的第二比较器(128),当所述第三和第四输入端(+、-)短路时,所述第二比较器具有第二输入偏移电压(V′off2);
-具有第五输入端(+)和第六输入端(-)的第三比较器(130),当所述第五和第六输入端(+、-)短路时,所述第三比较器具有第三输入偏移电压(V′off3);
其中,
-所述第三比较器(130)被配置在第一状态(I′),用于补偿所述第一和第二输入偏移电压(V′off1,V′off2)和使由所述第三输入偏移电压(V′off3)所产生的偏移误差最小;和
-所述第二比较器(128)被配置在第二状态(II′),用于基于第一状态(I′)补偿第一输入偏移电压(V′off1),所述第二状态(II′)跟随在所述第一状态(I′)之后;
-所述第一、第二和第三比较器(122、128、130)的每一个具有一起耦合到高阻抗节点(J′)的输出。
2.根据权利要求1所述的电路装置(100),其中在所述第一状态(I′)期间:
-所述第一比较器(122)配置为在开环方式下工作,并且所述第一和第二输入端(+、-)短路且由参考电压(V′ref)供电;
-所述第二比较器(128)配置为在开环方式下工作,并且所述第三和第四输入端(+、-)短路且由所述参考电压(V′ref)供电;
-所述第三比较器(130)配置为在闭环方式下工作,且比较由所述参考电压供电的所述第五输入端(+)和耦合到高阻抗节点(J′)的第六输入端(-)。
3.根据权利要求2所述的电路装置(100),其中当所述第六输入端(-)的第一电压值(V′n3)达到了所述第五输入端(+)的所述参考电压(V′ref)时,所述第三比较器(130)的比较结果存储在第一存储器元件(132)中。
4.根据权利要求3所述的电路装置(100),其中在所述第二状态(II′)期间:
-所述第一比较器(122)配置为在开环方式下工作,并且所述第一和第二输入端(+、-)短路且由所述参考电压(V′ref)供电;
-所述第二比较器(128)配置为在闭环方式下工作,且比较由所述参考电压(V′ref)供电的所述第四输入端(+)和由电源电压(Vdd)经过开关元件(126)供电的输入端(-);
-所述第三比较器(130)配置为在开环方式下工作,且比较由所述参考电压(V′ref)供电的所述第五输入端和由所述第一电压值(V′n3)供电的所述第六输入端(-)。
5.根据权利要求4所述的电路装置(100),其中当所述第四输入端(+)的第二电压值(V′n2)达到了所述第三输入端(+)的所述参考电压(V′ref)时,所述第二比较器(128)的比较结果存储在第二存储器元件(124)中。
6.根据权利要求5所述的电路装置(100),其中在第三状态(III′)期间:
-所述第一比较器(122)配置为在开环方式下工作,比较由所述参考电压(V′ref)供电的所述第一输入端(+)和由所述电路装置(100)的输出电压(V′out)供电的所述第二输入端(-),所述输出电压(V′out)等于或接近所述第二电压值(V′n2);
-所述第二比较器(128)配置为在开环方式下工作,且比较由所述参考电压(V′ref)供电的所述第四输入端(+)和由所述第二电压值(V′n2)供电的所述输入端(-);
-所述第三比较器(130)配置为在开环方式下工作,且比较由所述参考电压(V′ref)供电的所述第五输入端(+)和由所述第一电压值(V′n3)供电的所述第六输入端(-)。
7.根据权利要求4到7的任何一个所述的电路装置(100),其中所述开关元件(126)是由所述高阻抗节点(J′)驱动的门控开关装置。
8.根据前述权利要求的任何一个所述的电路装置(100),其中所述第一输入端(+)进一步由时变输入电压(Vin)供电。
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