[发明专利]低压自校准CMOS峰值检测器有效

专利信息
申请号: 200980140886.7 申请日: 2009-10-07
公开(公告)号: CN102187575A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 杰恩-罗伯特·图瑞特 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H03K5/1532 分类号: H03K5/1532;G01R19/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 低压 校准 cmos 峰值 检测器
【权利要求书】:

1.一种电路装置(100),包含:

-具有第一输入端(+)和第二输入端(-)的第一比较器(122),当所述第一和第二输入端(+、-)短路时,所述第一比较器具有第一输入偏移电压(V′off1);

-具有第三输入端(+)和第四输入端(-)的第二比较器(128),当所述第三和第四输入端(+、-)短路时,所述第二比较器具有第二输入偏移电压(V′off2);

-具有第五输入端(+)和第六输入端(-)的第三比较器(130),当所述第五和第六输入端(+、-)短路时,所述第三比较器具有第三输入偏移电压(V′off3);

其中,

-所述第三比较器(130)被配置在第一状态(I′),用于补偿所述第一和第二输入偏移电压(V′off1,V′off2)和使由所述第三输入偏移电压(V′off3)所产生的偏移误差最小;和

-所述第二比较器(128)被配置在第二状态(II′),用于基于第一状态(I′)补偿第一输入偏移电压(V′off1),所述第二状态(II′)跟随在所述第一状态(I′)之后;

-所述第一、第二和第三比较器(122、128、130)的每一个具有一起耦合到高阻抗节点(J′)的输出。

2.根据权利要求1所述的电路装置(100),其中在所述第一状态(I′)期间:

-所述第一比较器(122)配置为在开环方式下工作,并且所述第一和第二输入端(+、-)短路且由参考电压(V′ref)供电;

-所述第二比较器(128)配置为在开环方式下工作,并且所述第三和第四输入端(+、-)短路且由所述参考电压(V′ref)供电;

-所述第三比较器(130)配置为在闭环方式下工作,且比较由所述参考电压供电的所述第五输入端(+)和耦合到高阻抗节点(J′)的第六输入端(-)。

3.根据权利要求2所述的电路装置(100),其中当所述第六输入端(-)的第一电压值(V′n3)达到了所述第五输入端(+)的所述参考电压(V′ref)时,所述第三比较器(130)的比较结果存储在第一存储器元件(132)中。

4.根据权利要求3所述的电路装置(100),其中在所述第二状态(II′)期间:

-所述第一比较器(122)配置为在开环方式下工作,并且所述第一和第二输入端(+、-)短路且由所述参考电压(V′ref)供电;

-所述第二比较器(128)配置为在闭环方式下工作,且比较由所述参考电压(V′ref)供电的所述第四输入端(+)和由电源电压(Vdd)经过开关元件(126)供电的输入端(-);

-所述第三比较器(130)配置为在开环方式下工作,且比较由所述参考电压(V′ref)供电的所述第五输入端和由所述第一电压值(V′n3)供电的所述第六输入端(-)。

5.根据权利要求4所述的电路装置(100),其中当所述第四输入端(+)的第二电压值(V′n2)达到了所述第三输入端(+)的所述参考电压(V′ref)时,所述第二比较器(128)的比较结果存储在第二存储器元件(124)中。

6.根据权利要求5所述的电路装置(100),其中在第三状态(III′)期间:

-所述第一比较器(122)配置为在开环方式下工作,比较由所述参考电压(V′ref)供电的所述第一输入端(+)和由所述电路装置(100)的输出电压(V′out)供电的所述第二输入端(-),所述输出电压(V′out)等于或接近所述第二电压值(V′n2);

-所述第二比较器(128)配置为在开环方式下工作,且比较由所述参考电压(V′ref)供电的所述第四输入端(+)和由所述第二电压值(V′n2)供电的所述输入端(-);

-所述第三比较器(130)配置为在开环方式下工作,且比较由所述参考电压(V′ref)供电的所述第五输入端(+)和由所述第一电压值(V′n3)供电的所述第六输入端(-)。

7.根据权利要求4到7的任何一个所述的电路装置(100),其中所述开关元件(126)是由所述高阻抗节点(J′)驱动的门控开关装置。

8.根据前述权利要求的任何一个所述的电路装置(100),其中所述第一输入端(+)进一步由时变输入电压(Vin)供电。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NXP股份有限公司,未经NXP股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980140886.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top