[发明专利]使用化学气相沉积钝化的硅蚀刻

权利要求书

1.使用蚀刻室通过在硅层上形成的图案化掩模蚀刻所述硅层的方法，所述蚀刻室中放置有所述硅层，所述方法包括：

提供含氟(F)蚀刻气体以蚀刻特征到所述硅层以及含硅(Si)化学气相沉积气体以在所述特征的侧壁上形成含硅沉积层；

由所述蚀刻气体和所述化学气相沉积气体产生等离子体；

提供偏压；

使用所述等离子体蚀刻特征到所述硅层；

在蚀刻的所述特征的侧壁上沉积含硅钝化层，其中所述钝化层中的硅主要来自所述化学气相沉积气体；以及

停止所述蚀刻气体和所述化学气相沉积气体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积含硅钝化层包括：

提供源自所述化学气相沉积气体的硅原子以形成所述的含硅钝化使得所述钝化层中硅原子的实质部分源自所述化学气相沉积气体。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述钝化层中源自所述化学气相沉积气体的硅原子占所述钝化层中所有硅原子的50％或更多。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述钝化层中源自所述化学气相沉积气体的硅原子占所述钝化层中所有硅原子的80％或更多。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述钝化层中源自所述化学气相沉积气体的硅原子占所述钝化层中所有硅原子的95％或更多。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其中所述沉积含硅钝化层包括：

沉积包含SiO_xH_y的含硅钝化层，其中x和y不同时为0。

7.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其中所述化学气相沉积气体包括：

四乙基原硅酸酯(TEOS)蒸汽。

8.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其中所述化学气相沉积气体包括：

八甲基环四硅氧烷(OMCTS)蒸汽。

9.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其中所述化学气相沉积气体包括至少一种：

硅烷蒸汽；

硅酸酯蒸汽；或

硅氧烷蒸汽。

10.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其中在稳态中进行蚀刻所述硅层的所述方法。

11.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其中在包括交替的沉积和蚀刻步骤的气体调制处理的沉积步骤中进行蚀刻所述硅层的所述方法。

12.使用蚀刻室通过在硅层上形成的图案化掩模蚀刻所述硅层的方法，所述蚀刻室中放置有所述硅层，所述方法包括：

提供含氟(F)蚀刻气体以蚀刻特征到上游等离子体室中所述硅层；

由所述上游等离子体室中的所述蚀刻气体产生等离子体；

使来自该等离子体的反应介质流入蚀刻室；

提供含硅(Si)化学气相沉积气体进入所述蚀刻室使得所述反应介质包括含硅化学蒸汽；

提供偏压；

使用所述反应介质蚀刻特征到所述硅层；

在蚀刻的所述特征的侧壁上沉积含硅钝化层，其中所述钝化层中的硅主要来自所述化学气相沉积气体；以及

停止流动所述反应介质和所述化学气相沉积气体。