[发明专利]晶体生长装置及晶体生长方法无效
| 申请号： | 200980141358.3 | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102187018A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 堀冈佑吉 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料技术株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体生长 装置 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括具有石英坩埚的晶体生长炉、原料熔融炉及从所述原料熔融炉向所述石英坩埚重复供给熔融原料的供给单元。
2.如权利要求1所述的晶体生长装置，其中，所述晶体生长炉具有供给所述熔融原料的供给口，所述供给口相对于所述原料熔融炉连接分离自如。
3.如权利要求2所述的晶体生长装置，其中，在所述原料熔融炉的周围配置有多个所述晶体生长炉。
4.如权利要求1～3中任一项所述的晶体生长装置，其中，所述原料熔融炉具有不熔解物质分离单元。
5.一种晶体生长方法，其特征在于，向石英坩埚供给预先熔化的熔融原料。
6.如权利要求5所述的晶体生长方法，其中，在所述填充之前从所述熔融原料除去不熔解物质。
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