[发明专利]等离子体处理装置中的快速响应热控制的方法和设备

权利要求书

1.一种用于处理衬底的设备，其包括：

制程腔室；

RF源，其用于提供RF能量以在所述制程腔室中形成等离子体；

部件，其设置在所述制程腔室中以在形成所述等离子体时由所述等离子体加热；

加热器，其被构造为对所述部件进行加热；

热交换器，其被构造为从所述部件移除热量；以及

冷却器，其经由具有设置于其中的打开/关闭流量控制阀的第一流动管道以及绕过所述流量控制阀的旁路回路而耦接到所述热交换器，其中所述旁路回路具有设置于其中的流量比阀。

2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

控制器，其用于使所述可控制阀打开或关闭。

3.根据权利要求2所述的设备，其进一步包括温度测量装置，其用来指示所述部件的温度，并且其中，所述控制器根据以下控制参数操作：

  如果T＞T_sp+dT_UL  打开可控制阀  如果T＜T_sp-dT_LL  关闭可控制阀

其中T_sp为目标温度设定点，dT_UL为预定上限温差，且dT_LL为预定下限温差。

4.根据权利要求2所述的设备，其进一步包括：

温度测量装置，其经定位以指示所述部件的温度；以及

向所述控制器中的输入，其指示引向形成所述等离子体的电极或这种电极的组的功率；

其中所述控制器基本根据以下控制参数操作：

  如果∑ω_iP_i＞P_UL并且T＞T_sp-dT_LL  打开可控制阀  如果∑ω_iP_i＜P_LL并且T＜T_sp+dT_UL  关闭可控制阀

其中T_sp为所述目标温度，dT_UL为预定上限温差，dT_LL为预定下限温差，P_i为形成i＝1至n个等离子体中一者的电极和/或这种电极的组的功率消耗，其中ω_i为传递到所述制程腔室的i＝1至n个RF功率源中的一者的加权因子，P_UL为总和的功率消耗的预定上限，且P_LL为总和的功率消耗的预定下限。