[发明专利]从生产装置移除板材有效
申请号: | 200980141470.7 | 申请日: | 2009-10-20 |
公开(公告)号: | CN102187474A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 彼德·L·凯勒曼;菲德梨克·卡尔森;法兰克·辛克莱 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L21/20 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 生产 装置 板材 | ||
1.一种方法,包括:
冷却一材料的一熔化物;
于所述熔化物中形成所述材料的一固体板材;
输送所述板材;
将所述板材切割成至少一片段;以及
冷却所述片段。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述材料选自由硅、硅及锗、镓以及氮化镓所构成的族群。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括使用一溢道自所述熔化物分离所述板材。
4.根据权利要求1所述的方法,其中冷却所述片段的步骤包括使用气体进行气体冷却。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述冷却步骤将横跨所述片段的表面的横向热梯度最小化。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述冷却步骤包括随着时间降低所述片段的温度,且维持横跨所述片段的表面的横向温度的均匀性。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述冷却步骤纵向跨越所述片段的厚度。
8.一种装置,包括:
一容器,界定一通道,所述通道经组态以容纳一材料的一熔化物;
一冷却板,配置成接近所述熔化物,且经设置以于所述熔化物上形成所述材料的一板材;
一切削装置,经组态以将所述板材切成至少一片段;以及
一冷却腔室,经组态以容纳所述片段,其中所述冷却腔室及所述片段是经组态以使近似均匀的横向温度横跨所述片段的表面。
9.根据权利要求8所述的装置,其中所述材料选自由硅、硅及锗、镓以及氮化镓所构成的族群。
10.根据权利要求8所述的装置,其中所述冷却腔室包括一冷却机制。
11.根据权利要求10所述的装置,其中所述冷却机制包括多个导管以及一气体源。
12.根据权利要求10所述的装置,其中所述冷却腔室包括至少一多孔材料。
13.根据权利要求12所述的装置,还包括多个导管以及一气体源,其中所述气体源与所述多孔材料流体交流。
14.根据权利要求8所述的装置,其中所述冷却腔室经组态以在一段时间内改变所述近似均匀的横向温度。
15.根据权利要求14所述的装置,其中所述近似均匀的横向温度被降低至室温。
16.根据权利要求14所述的装置,其中在没有于所述片段的所述表面上产生横向热梯度的状态下冷却所述冷却腔室以及所述片段。
17.一种装置,包括:
一容器,界定一通道,所述通道经组态以用来容纳一材料的一熔化物;
一冷却板,配置成接近所述熔化物,且经组态以于所述熔化物上形成所述材料的一板材;
一切削装置,经组态以将所述板材切成至少一片段;以及
一冷却腔室,经组态以容纳所述片段,其中所述片段在所述冷却腔室中冷却。
18.根据权利要求17所述的装置,其中所述材料选自由硅、硅及锗、镓以及氮化镓所构成的族群。
19.根据权利要求17所述的装置,其中所述冷却腔具有配置于所述片段的上方与下方的多个腔壁,且所述腔壁具有非均质的热传导性,即横向跨越所述片段的表面的热传导性大致大于纵向跨越所述片段的厚度的热传导性。
20.根据权利要求17所述的装置,其中所述冷却系统由热解石墨组成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的