[发明专利]用于研磨氮化硅的组合物以及使用所述组合物控制选择比的方法在审
申请号: | 200980141605.X | 申请日: | 2009-10-19 |
公开(公告)号: | CN102187434A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 田中利香 | 申请(专利权)人: | 霓达哈斯股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;阴亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 研磨 氮化 组合 以及 使用 控制 选择 方法 | ||
1.用于研磨氮化硅的组合物,其包含:
1)硅胶;以及
2)由磷酸化合物和硫酸化合物组成的研磨助剂。
2.如权利要求1所述的用于研磨氮化硅的组合物,其中所述磷酸化合物包括选自磷酸、焦磷酸和多磷酸中的至少一种。
3.如权利要求1或2所述的用于研磨氮化硅的组合物,其中所述硅胶的平均粒径为15nm至80nm。
4.如权利要求1至3中任一项所述的用于研磨氮化硅的组合物,其还包含氧化剂。
5.用于研磨氮化硅的组合物,其包含:
1)硅胶;
2)由磷酸化合物和硫酸化合物组成的研磨助剂;以及
3)氧化剂,其中
能够根据所述氧化剂的含量和所述用于研磨氮化硅的组合物的pH值来控制第一选择比和第二选择比,所述第一选择比代表金属膜的研磨速度与氮化硅膜的研磨速度之比且第二选择比代表氧化物绝缘膜的研磨速度与氮化硅膜的研磨速度之比。
6.使用如权利要求5所述的用于研磨氮化硅的组合物来控制选择比的方法,其中能够根据所述氧化剂的含量来控制所述第一选择比,且能够根据所述用于研磨氮化硅的组合物的pH值来控制所述第二选择比。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造