[发明专利]表面声波谐振器、表面声波振荡器以及表面声波模块装置

说明书

技术领域

本发明涉及采用压电基板的表面声波谐振器、表面声波振荡器以及表面声波模块装置。

背景技术

一直以来，在电子设备中广泛利用了使用表面声波(Surface Acoustic Wave：SAW)的表面声波谐振器。

近年来，随着便携设备的普及，要求用于这些便携设备的表面声波谐振器小型化。在表面声波谐振器小型化的过程中，会引起Q值降低或者CI值增加，存在无法充分获得表面声波谐振器的特性的问题。

作为其对策，例如在专利文献1中公开了如下的技术：采用41°旋转Y轴切的铌酸锂基板，使梳齿状电极的电极指宽度与电极指间距之比(线宽比或线占有率)随着从梳齿状电极的中央部向两端接近而变小，来提高Q值。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭63-135010号公报

发明概要

发明要解决的问题

但是，在专利文献1的表面声波谐振器的结构中，IDT(interdigital transducer)端部处的表面声波的反射强，相比于IDT中央部，IDT端部的频率上升。由此，IDT内的表面声波能量的封闭性劣化，无法充分提高Q值。

另外，在专利文献1中，对于压电基板，将铌酸锂基板作为对象，没有公开石英基板。

用于解决课题的手段

本发明是为了解决上述问题的至少一部分而完成的，可作为以下方式或应用例来实现。

[应用例1]本应用例的表面声波谐振器在压电基板上设有叉指式换能器IDT，该IDT具有激励出表面声波的电极指，其特征在于，将用上述电极指中的一个电极指的宽度除以如下尺寸所得的值设为线占有率，该尺寸是上述一个电极指和与该电极指的一侧相邻的电极指的间隔的中心线与上述一个电极指和与该电极指的另一侧相邻的电极指的间隔的中心线之间的尺寸，上述IDT包含如下区域，该区域形成为：使线占有率从中央部向两端部依次变化，由此与上述IDT的中央部的频率相比，该区域的频率从中央部向两端部依次降低。

根据该结构设定为，从振动移位大的IDT中央部向着振动移位小的IDT端部，线占有率依次变化、频率依次降低。

通过这样地利用线占有率对IDT进行加权，由此能够提高振动能量在IDT内的封闭效果，与现有的表面声波谐振器相比，能实现Q值更加良好的表面声波谐振器。因此，能使表面声波谐振器小型化。

[应用例2]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，关于频率从上述IDT的中央部向两端部依次降低的区域，该区域具有比上述IDT的中央部大的线占有率。

根据该结构，通过将线占有率设定为比IDT中央部大，能够降低频率。

[应用例3]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，在上述IDT的中央部具有线占有率相同的区域，线占有率相同的区域的电极指对数Nf与上述IDT的电极指总对数N之比Nf/N处于0＜Nf/N＜0.59的范围。

根据该结构，通过在IDT的中央部设置线占有率相同的区域，由此使中央部的振动移位变大。并且设定为，相对于振动移位大的IDT中央部，IDT端部的线占有率发生变化而使频率降低。这样，能够提高振动能量在IDT内的封闭效果，如果线占有率相同的区域的电极指对数Nf与IDT的电极指总对数N之比Nf/N处于上述范围，则与现有的表面声波谐振器相比，能实现Q值良好的表面声波谐振器。

[应用例4]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述IDT的端部的线占有率ηe与上述IDT的中央部的线占有率ηc之比ηe/ηc处于1＜ηe/ηc＜1.79的范围。

如果IDT的中央部与端部的线占有率之比ηe/ηc处于1.0＜ηe/ηc＜1.79的范围，则与没有利用线占有率实施加权的情况(ηe/ηc＝1.0)相比，Q值提高。

[应用例5]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，反射器的线占有率ηr与上述IDT的端部的线占有率ηe之比ηr/ηe处于0.65≤ηr/ηe≤1.58的范围。

如果反射器与IDT端部的线占有率之比ηr/ηe处于0.65≤ηr/ηe≤1.58的范围，则能够获得比现有的表面声波谐振器高的Q值。

[应用例6]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述压电基板是欧拉角为(-1°～+1°、26.0°～40.7°、85°～95°)的石英基板。

根据该结构，通过使用欧拉角为(-1°～+1°、26.0°～40.7°、85°～95°)的石英基板，能够提供频率温度特性良好且Q值提高的表面声波谐振器。