[发明专利]光电子半导体器件有效

申请号：	200980141726.4	申请日：	2009-09-16
公开（公告）号：	CN102187484A	公开（公告）日：	2011-09-14
发明（设计）人：	马丁·斯特拉斯伯格;卢茨·赫佩尔;马蒂亚斯·彼得;乌尔里克·策恩德;泷哲也;安德烈亚斯·莱贝尔;赖纳·布滕戴奇;托马斯·鲍尔	申请（专利权）人：	欧司朗光电半导体有限公司
主分类号：	H01L33/40	分类号：	H01L33/40
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	王萍;周涛
地址：	德国雷***	国省代码：	德国;DE
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摘要：
搜索关键词：	光电子半导体器件
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【权利要求书】：

1.一种光电子半导体器件，其具有基于氮化物半导体的半导体层序列(3)，该半导体层序列包括n掺杂区域(4)、p掺杂区域(8)和设置在n掺杂区域(4)和p掺杂区域(8)之间的有源区(5)，其中p掺杂区域(8)包括In_xAl_yGa_1-x-yN构成的p接触层(7)，其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1，该p接触层与金属、金属合金或者透明导电氧化物构成的连接层(9)邻接，其中p接触层(7)在朝着连接层(9)的界面上具有带Ga面取向的第一晶畴(1)以及带N面取向的第二晶畴(2)。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其中p接触层(7)在朝着连接层(9)的界面上具有至少10％并且最多90％的带有Ga面取向的晶畴(1)的面积比。

3.根据权利要求2所述的光电子半导体器件，其中p接触层(7)在朝着连接层(9)的界面上具有至少40％并且最多70％的带有Ga面取向的晶畴(1)的面积比。

4.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中第一晶畴(1)和/或第二晶畴(2)分别具有10nm到5μm的横向伸展。

5.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中第二晶畴(2)具有小于1μm的横向伸展。

6.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中p接触层(7)具有大于1×10²⁰cm^-3的掺杂材料浓度。

7.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中p接触层(7)的厚度在5nm到200nm之间，其中包括端点值。

8.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中p接触层(7)具有30nm或者更小的厚度。

9.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中有源区(5)是发射辐射的层，并且连接层(9)设置在该器件的辐射出射侧上。

10.根据权利要求9所述的光电子半导体器件，其中连接层(9)具有透明导电氧化物。

11.根据权利要求1至8之一所述的光电子半导体器件，其中有源区(5)是发射辐射的层，并且从发射辐射的层(5)来看，该器件的辐射出射侧与连接层(9)对置。

12.根据权利要求11所述的光电子半导体器件，其中连接层(9)是金属或者金属合金构成的反射层。

13.根据权利要求11所述的光电子半导体器件，其中连接层(9)具有透明导电氧化物。