[发明专利]CVD前体

权利要求书

1.一种在基底上生产含硅薄膜的方法，所述方法包括热聚合反应性气体混合物，所述气体混合物包括二氨基硅杂环丁烷和选自供氮气体、供氧气体及其混合物的源气。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述二氨基硅杂环丁烷选自

其中每一R1，R2，R3，R4，R5和R6独立选自氢或具有1至6个碳的单价烃基而m，n具有0至10的值。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述二氨基硅杂环丁烷是二(叔丁氨基)硅杂环丁烷。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述二氨基硅杂环丁烷是二(乙氨基)硅杂环丁烷。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述二氨基硅杂环丁烷是二(吡咯烷基)硅杂环丁烷。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述源气是供氮气体。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述源气选自氮气N₂，氨气NH₃，肼N₂H₄，叠氮酸HN₃，及其混合物。

8.根据权利要求6所述的方法，其中每体积份的二氨基硅杂环丁烷混合0.1至50体积份的供氮气体。

9.根据权利要求8所述的方法，其中每体积份的二氨基硅杂环丁烷混合0.2至7体积份的供氮气体。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述源气体是氨气。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述源气体是供氧气体。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述源气体选自氧气，空气，一氧化二氮，一氧化氮，一氧化碳，过氧化物，二氧化硫及其混合物。

13.根据权利要求11所述的方法，其中每体积份的二氨基硅杂环丁烷混合0.1至50体积份的供氧气体。

14.根据权利要求11所述的方法，其中每体积份二氨基硅杂环丁烷混合0.2至7体积份的供氧气体。

15.根据权利要求1所述的方法，其中也存在选自载体气体，掺杂剂，卤素和含卤素的气体的物质。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底是半导体基底。

17.根据权利要求1所述的方法，其中通过低压化学汽相沉积实施所述热聚合。

18.根据权利要求1所述的方法，其中通过原子层沉积实施所述热聚合。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积的膜是碳氮化硅膜。

20.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积的膜是氮化硅膜。

21.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积的膜是氧化硅膜。

22.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积的膜是碳掺杂的二氧化硅膜。

23.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积的膜具有0.01至10μm的厚度。

24.一种含二(乙氨基)硅杂环丁烷的组合物。

25.一种含二(吡咯烷基)硅杂环丁烷的组合物。