[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 200980141871.2 | 申请日： | 2015-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN105405768A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;胡诗犇;姚日晖;彭俊彪;王磊;徐苗;邹建华;陶洪;兰林锋;黄福祥 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/417;H01L21/324 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
在衬底上依次制备栅极、栅极绝缘层和有源层，然后进行前退火处理，再直流磁控溅射铜铬合金电极作为源漏电极，最后进行后退火处理，得到成品薄膜晶体管；
以重量百分比计，所述铜铬合金电极中铬元素的含量范围为0.4％～10％。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：
所述的前退火处理是在空气气氛中进行前退火，前退火温度为100～500℃，前退火时间为1～120min。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：
所述的后退火处理是在氩气气氛中进行后退火，后退火温度为100～500℃，后退火时间为1～120min。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：
所述的前退火的温度为400～500℃，所述的后退火的温度为100～300℃。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：
所述的前退火的温度为400℃，所述的后退火的温度为300℃。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：
所述的衬底为玻璃衬底；所述的栅极为Al：Nd栅极；所述的栅极绝缘层为Al2O3栅极绝缘层；所述的有源层为a-IGZO有源层。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：
所述的在衬底上依次制备栅极、栅极绝缘层和有源层，具体是：衬底为玻璃衬底，在玻璃衬底上直流磁控溅射Al：Nd栅极；再通过阳极氧化形成一层Al2O3栅极绝缘层；在室温下通过射频磁控溅射a-IGZO薄膜作为有源层。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：
所述的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极的厚度设置为100～2000nm。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：
所述的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极的图形化采用光掩模配合湿法刻蚀。
10.一种薄膜晶体管，其特征在于通过权利要求1～9任一项所述的制备方法制备而成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980141871.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：裸片接合装置及接合方法
- 下一篇：一种薄膜晶体管及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
