[发明专利]绝缘栅双极性晶体管、以及绝缘栅双极性晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种垂直型的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，具备：

第1导电型的发射区；

第2导电型的体区，其相对于所述发射区在较深的位置处邻接于所述发射区；

第1导电型的漂移区，其相对于所述体区在较深的位置处邻接于所述体区，并通过所述体区而与所述发射区分离；

第2导电型的集电区，其相对于所述漂移区在较深的位置处邻接于所述漂移区，并通过所述漂移区而与所述体区分离；

第1导电型的浮置区，其被形成于所述体区内，并通过所述体区而与所述发射区以及所述漂移区分离；

栅电极，其隔着绝缘膜而与将所述发射区和所述漂移区分离的范围内的所述体区对置，

其中，在所述浮置区与其上侧的所述体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布，

在所述浮置区与其下侧的所述体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，

在所述浮置区与其上侧的所述体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，

在所述浮置区与其下侧的所述体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布。

2.如权利要求1所述的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，

所述浮置区上侧的所述体区内的第2导电型杂质浓度，以在深度方向上具有极大值的方式分布，且该极大值为所述浮置区上侧的所述体区内的第2导电型杂质浓度的最大值。

3.如权利要求1或2所述的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，

所述浮置区下侧的所述体区内的第2导电型杂质浓度，以在深度方向上具有极大值的方式分布，且该极大值为所述浮置区下侧的所述体区内的第2导电型杂质浓度的最大值。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，

所述浮置区上侧的所述体区内的第2导电型杂质浓度的最大值，高于所述浮置区下侧的所述体区内的第2导电型杂质浓度的最大值。

5.一种垂直型的绝缘栅双极性晶体管的制造方法，其中，所述绝缘栅双极性晶体管具备：

第1导电型的发射区；

第2导电型的体区，其相对于所述发射区在较深的位置处邻接于所述发射区；

第1导电型的漂移区，其相对于所述体区在较深的位置处邻接于所述体区，并通过所述体区而与所述发射区分离；

第2导电型的集电区，其相对于所述漂移区在较深的位置处邻接于所述漂移区，并通过所述漂移区而与所述体区分离；

第1导电型的浮置区，其被形成于所述体区内，并通过所述体区而与所述发射区以及所述漂移区分离；

栅电极，其隔着绝缘膜而与将所述发射区和所述漂移区分离的范围内的所述体区对置，

所述制造方法的特征在于，具备：

顶部体区注入工序，向半导体基板中对应于所述浮置区上侧的所述体区的深度处注入第2导电型杂质；

底部体区注入工序，向所述半导体基板中对应于所述浮置区下侧的所述体区的深度处注入第2导电型杂质；

浮置区注入工序，向所述半导体基板中对应于所述浮置区的深度处注入第1导电型杂质。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，

在所述顶部体区注入工序中，以高于所述底部体区注入工序中的浓度注入第2导电型杂质。

7.如权利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，

在所述顶部体区注入工序、所述底部体区注入工序以及所述浮置区注入工序之前，实施以下工序，即：沟槽形成工序，在所述半导体基板的上表面上形成沟槽；氧化膜形成工序，通过热处理而在所述沟槽的壁面上形成氧化膜；栅电极形成工序，在所述沟槽内形成所述栅电极。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，

在所述栅电极形成工序中，将所述栅电极的上表面和所述半导体基板的上表面之间的深度方向上的距离设为大于等于0.2μm。

9.如权利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，

在所述沟槽形成工序中，在所述半导体基板的上表面上形成相对于所述半导体基板的011晶体取向垂直延伸的所述沟槽，

在所述顶部体区注入工序、所述底部体区注入工序以及所述浮置区注入工序中，以将所述半导体基板的011晶体取向作为轴，而在杂质注入方向与所述半导体基板的100晶体取向之间设置角度的方式，注入杂质。