[发明专利]激光加工方法以及激光加工装置有效
申请号: | 200980142278.X | 申请日: | 2009-10-23 |
公开(公告)号: | CN102196880A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 角井素贵;仲前一男;玉置忍 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | B23K26/36 | 分类号: | B23K26/36;B23K26/00;H01S3/00;H05K3/00;B23K101/42 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 加工 方法 以及 装置 | ||
1.一种激光加工方法,在该方法中,将包含导体层和层叠在所述导体层上的树脂制绝缘层的对象物,设置在脉冲激光的光路上,通过向所述对象物照射脉冲激光,从而将所述绝缘层中位于所述导体层上的规定区域中的部分除去,
其特征在于,
将选择相对于所述导体层的吸收率小于10%且相对于所述绝缘层的透过率大于或等于70%的波长作为所述脉冲激光的波长的所述脉冲激光,向所述对象物的规定区域照射,使所述脉冲激光在通过所述绝缘层后到达所述导体层。
2.一种激光加工方法,在该方法中,将包含导体层和层叠在所述导体层上的树脂制绝缘层的对象物,设置在脉冲激光的光路上,通过向所述对象物照射脉冲激光,从而将所述绝缘层中位于所述导体层上的规定区域中的部分除去,
其特征在于,
选择相对于所述导体层的吸收率小于10%且相对于所述绝缘层的透过率大于或等于70%的波长作为所述脉冲激光的波长,
根据与除去所述绝缘层后的所述导体层表面上的碳检测浓度的容许水平之间的关系,设定所述脉冲激光的每一个脉冲的能流密度,
以使所述脉冲激光的半高宽小于5ns的方式,设定所述脉冲激光的重复频率,
将具有所述选择的波长、所述设定的每一个脉冲的能流密度以及所述设定的重复频率的所述脉冲激光,向所述对象物的规定区域照射,使所述脉冲激光在通过所述绝缘层后到达所述导体层。
3.根据权利要求1或2所述的激光加工方法,其特征在于,
在所述绝缘层表面上,以下一次照射的脉冲激光的照射斑相对于已照射的脉冲激光的照射斑的重叠率为40%~90%的方式,一边使所述脉冲激光在所述绝缘层表面上进行扫描,一边进行照射。
4.根据权利要求1或2所述的激光加工方法,其特征在于,
所述脉冲激光的波长为可以从利用含有稀土类元素的光活性介质的激光光源直接输出的波长。
5.根据权利要求4所述的激光加工方法,其特征在于,
所述光活性介质为Yb添加光纤。
6.根据权利要求1或2所述的激光加工方法,其特征在于,
所述脉冲激光的半高宽设定为,不使所述绝缘层的加工残渣以膜状或岛状残留在所述导体层表面上的程度。
7.根据权利要求1所述的激光加工方法,其特征在于,
所述脉冲激光的半高宽小于5ns。
8.根据权利要求1或2所述的激光加工方法,其特征在于,
所述脉冲激光的半高宽大于10ps。
9.根据权利要求1或2所述的激光加工方法,其特征在于,
所述脉冲激光的脉冲峰值时的照射强度设定为,不使所述绝缘层的加工残渣以膜状或岛状残留在所述导体层表面上的程度。
10.一种激光加工装置,其执行权利要求1至9中任一项所述的激光加工方法,
其特征在于,
该激光加工装置具有:激光光源,其生成所述脉冲激光;以及照射光学系统,其在所述脉冲激光所到达的所述绝缘层表面的加工区域内,使所述脉冲激光进行光束扫描,
并且,在将一边在所述加工区域内描绘任意的图案一边从扫描起点朝向扫描终点的光束扫描作为一个单位时,所述激光光源在该一个单位的光束扫描的期间中,对所述脉冲激光的生成条件中脉宽及重复频率的至少一个进行1次或大于1次的变更,
所述激光光源将所述一个单位的光束扫描中包含扫描开始时刻在内的光束扫描初期的所述脉冲激光的每一个脉冲的能流密度,设定为比所述光束扫描初期以后的期间中的所述脉冲激光的每一个脉冲的能流密度大。
11.根据权利要求10所述的激光加工装置,其特征在于,
所述激光光源将所述一个单位的光束扫描中包含扫描结束时刻在内的光束扫描末期的所述脉冲激光的脉冲峰值时的照射强度,设定为比所述光束扫描末期以前的期间中的所述脉冲激光的脉冲峰值时的照射强度大。
12.根据权利要求10或11所述的激光加工装置方法,其特征在于,
所述照射光学系统在所述绝缘层表面上,以下一次照射的脉冲激光的束斑相对于已照射的脉冲激光的束斑的重叠率为40%~90%的方式,一边使所述脉冲激光在所述绝缘层表面上进行扫描,一边进行照射。
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