[发明专利]用于临时晶片粘合的环烯烃组合物有效
申请号: | 200980142330.1 | 申请日: | 2009-10-22 |
公开(公告)号: | CN102203917A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 洪文斌;白东顺;T·D·弗莱;R·普利吉达 | 申请(专利权)人: | 布鲁尔科技公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/304 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭辉 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 临时 晶片 粘合 烯烃 组合 | ||
1.一种晶片粘合方法,它包括:
提供包括通过粘合层粘合在一起的第一基片和第二基片的层叠件,所述粘合层由包含溶解或分散在溶剂体系中的环烯烃共聚物的组合物形成;以及
分离所述第一基片和第二基片。
2.权利要求1所述的方法,进一步包括在所述分离前将所述层叠件加热到至少约100℃的温度,以使所述粘合层软化。
3.权利要求1所述的方法,进一步包括在所述分离前用溶剂溶解所述粘合层。
4.权利要求3所述的方法,所述溶剂选自由柠檬烯、均三甲苯、双戊烯、蒎烯、双环己烯、环十二烯、1-叔丁基-3,5-二甲基苯、丁基环己烷、环辛烷、环庚烷、环己烷、甲基环己烷、甲基乙基酮、环戊酮及其混合物组成的组。
5.权利要求1所述的方法,其中所述分离包含对所述第一基片和第二基片的至少一个施加作用力,同时使得所述第一基片和第二基片中的另一个抵御所述作用力,所述施加的作用力大小足以使所述第一基片和第二基片分离。
6.权利要求1所述的方法,进一步包括在所述分离前,使所述层叠件进行选自以下的工艺:背研、金属镀覆、图案化、钝化、以及它们的组合。
7.权利要求1所述的方法,其中,所述提供层叠件包括:
将粘合组合物应用到第一基片和第二基片的至少一个上;以及
将所述基片与另一基片接触将所述基片粘合在一起。
8.权利要求1所述的方法,其中:
所述第一基片具有第一表面和远离所述第一表面的第二表面,并包含至少一个活性位点和多个形貌特征,所述粘合组合物层粘合到所述第二表面;以及
所述第二基片包含粘合到所述粘合组合物层的粘合面。
9.权利要求8所述的方法,其中:
所述形貌特征具有远离所述第一基片的第一表面的各端面,至少一个端面比其它所述端面更远离第一基片的第一表面,所述更远的端面限定出基本上平行于所述第一表面的平面;以及
在所述平面和第二基片粘合面上,所述平面与第二基片上粘合面之间的距离的变化小于约20%。
10.权利要求1所述的方法,所述组合物进一步包含选以下配料:增粘剂、低分子量环烯烃共聚物、增塑剂、抗氧剂、及其混合物。
11.权利要求1所述的方法,其中所述共聚物是由选自
及上述的组合的环烯烃聚合而成,
其中:
每个R1和R2单独地选自由-H和烷基组成的组;和
每个R3单独地选自由-H、取代和未取代的芳基、烷基、环烷基、芳烷基、酯基、醚基、乙酰基、醇类、醛基、酮类、腈类、及其组合组成的组。
12.权利要求1所述的方法,其中所述共聚物包含重复单体:
及上述的组合,
其中:
每个R1和R2单独地选自由-H和烷基组成的组;和
每个R3单独地选自由-H、取代和未取代的芳基、烷基、环烷基、芳烷基、酯基、醚基、乙酰基、醇类、醛基、酮类、腈类、及其组合组成的组;
和
其中:
-----是单键或双键;和
每个R4单独地选自-H和烷基组成的组。
13.一种制品,包含:
具有背面和活性面的第一基片,所述活性面包含至少一个活性位点和多种形貌特征;
具有粘合面的第二基片;和
粘合到第一基片活性面和第二基片粘合面的粘合层,其中所述粘合层由包含溶解或分散在溶剂体系中的环烯烃共聚物的组合物形成。
14.权利要求13所述的制品,其中:
所述地形特征表示远离所述第一基片的背面的端面,至少一个端面比其它所述端面更远离第一基片的背面,所述更远的端面限定出基本上平行于所述第一表面的平面;以及
在所述平面和第二基片粘合面上,所述平面到所述第二基片上的粘合面的距离变化小于约20%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造