[发明专利]具有高纵横比的单色光源

权利要求书

1.一种发光系统，包括：

LED，所述LED发射第一波长的光，所发射的第一波长的光的主要部分从所述LED的最小横向尺寸为W_min的顶部表面离开所述LED，所发射的第一波长的光的其余部分从所述LED的最大边缘厚度为T_max的一个或多个侧面离开所述LED，W_min/T_max之比为至少30；和

再发射半导体构造，所述再发射半导体构造具有半导体势阱，并接收从所述顶部表面离开所述LED的所述第一波长的光，并且将所接收的光的至少一部分转换为第二波长的光，其中离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的整体发光强度为离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的整体发光强度的至少4倍。

2.根据权利要求1所述的发光系统，其中由所述发光系统沿着第一方向发射的光具有第一组颜色坐标，由所述发光系统沿着第二方向发射的光具有与所述第一组颜色坐标基本上相同的第二组颜色坐标，并且其中所述第一方向和所述第二方向之间的角度为不小于20度。

3.根据权利要求2所述的发光系统，其中所述第一方向和所述第二方向之间的角度为不小于30度。

4.根据权利要求2所述的发光系统，其中所述第一方向和所述第二方向之间的角度为不小于40度。

5.根据权利要求2所述的发光系统，其中所述第一方向和所述第二方向之间的角度为不小于50度。

6.根据权利要求2所述的发光系统，其中所述第一组颜色坐标为u₁’和v₁’，所述第二组颜色坐标为u₂’和v₂’，并且其中u₁’和u₂’之间以及v₁’和v₂’之间的差值中的每一个的绝对值为不超过0.01。

7.根据权利要求6所述的发光系统，其中u₁’和u₂’之间以及v₁’和v₂’之间的差值中的每一个的绝对值为不超过0.005。

8.根据权利要求6所述的发光系统，其中u₁’和u₂’之间以及v₁’和v₂’之间的差值中的每一个的绝对值为不超过0.001。

9.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述LED为III-V LED。

10.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述顶部表面为具有长度L和宽度W的矩形，所述宽度为所述顶部表面的最小横向尺寸。

11.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述W_min/T_max之比为至少40。

12.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述W_min/T_max之比为至少100。

13.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述半导体势阱含有II-VI材料。

14.根据权利要求13所述的发光系统，其中所述势阱含有Cd(Mg)ZnSe或ZnSeTe。

15.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述第一波长为蓝色，所述第二波长为绿色或红色。

16.根据权利要求1所述的发光系统，其中离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的整体发光强度为离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的整体发光强度的至少10倍。

17.根据权利要求1所述的发光系统，其中离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的整体发光强度为离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的整体发光强度的至少20倍。

18.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述再发射半导体构造将所接收的光的至少20％转换为所述第二波长的光。

19.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述再发射半导体构造将所接收的光的至少30％转换为所述第二波长的光。