[发明专利]具有改善的单色性的光源

权利要求书

1.一种发光系统，包括：

LED，所述LED发射第一波长的光，并且包括用于增强从所述LED的顶部表面发射光并抑制从所述LED的一个或多个侧面发射光的图案；和

再发射半导体构造，所述再发射半导体构造包括II-VI势阱，并且接收离开所述LED的所述第一波长的光，并将所接收的光的至少一部分转换为第二波长的光，其中离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的整体发光强度为离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的整体发光强度的至少4倍。

2.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述图案为周期性图案。

3.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述图案为非周期性图案。

4.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述图案为准周期性图案。

5.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述图案为二维图案。

6.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述图案具有图案化的介电常数。

7.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述LED具有多个层，并且所述图案包括位于所述LED的所述多个层中的一层或多层内的厚度图案。

8.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述LED内的势阱具有所述图案。

9.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述图案形成三角形或方形阵列。

10.根据权利要求1所述的发光系统，其中离开所述LED、并且由所述再发射半导体构造接收的所述第一波长的光的大部分通过所述LED的顶部表面离开所述LED。

11.根据权利要求1所述的发光系统，其中离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的整体发光强度为离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的整体发光强度的至少10倍。

12.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述势阱包括Cd(Mg)ZnSe或ZnSeTe。

13.根据权利要求1所述的发光系统，其中由所述发光系统沿第一方向发射的光具有第一组颜色坐标，并且由所述发光系统沿第二方向发射的光具有与所述第一组颜色坐标基本上相同的第二组颜色坐标，并且其中所述第一方向和所述第二方向之间的角度为不小于20度。

14.根据权利要求13所述的发光系统，其中所述第一组颜色坐标为u₁’和v₁’，并且所述第二组颜色坐标为u₂’和v₂’，并且其中u₁’和u₂’之间以及v₁’和v₂’之间的差值中的每一个的绝对值为不超过0.01。

15.一种发光系统，包括：

光反射器，所述光反射器反射第一波长λ₁的光；

电致发光设备，所述电致发光设备设置在所述光反射器上，并且发射所述第一波长的光，所述电致发光设备具有用于产生所述第一波长的光子的有源区域，所述有源区域和所述光反射器之间的距离为使得光从所述电致发光设备的顶部表面的发射得到增强，并且使得光从所述电致发光设备的一个或多个侧面的发射得到抑制；和

再发射半导体构造，所述再发射半导体构造包括II-VI势阱，并且接收从所述顶部表面离开所述电致发光设备的所述第一波长的光，并将所接收的光的至少一部分转换为第二波长的光，其中离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的整体发光强度为离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的整体发光强度的至少4倍。

16.根据权利要求15所述的发光系统，其中所述光反射器包含金属。

17.根据权利要求15所述的发光系统，其中所述光反射器包括布拉格反射器。

18.根据权利要求15所述的发光系统，其中所述电致发光设备包括LED。

19.根据权利要求18所述的发光系统，其中所述光反射器能够在整个所述LED上横向地扩散电流。

20.根据权利要求15所述的发光系统，其中所述有源区域和所述光反射器之间的所述距离在约0.6λ₁至约1.4λ₁的范围内。