[发明专利]具有用于色彩分离的光栅的图像传感器有效
申请号: | 200980142487.4 | 申请日: | 2009-10-30 |
公开(公告)号: | CN102197486A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 约翰·P·麦卡滕;约瑟夫·苏马 | 申请(专利权)人: | 全视科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 用于 色彩 分离 光栅 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,其包括:
(a)像素阵列,其包括周期性重复的多个核心,且每一核心包含用于响应于光而收集电荷的n个光敏区域,n等于或大于2;及
(b)透明层,其横跨所述光敏区域,具有n个光学路径,所述n个光学路径中的至少两者为不同的,其中每一光学路径将预定光谱带的光引导到特定光敏区域中。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述光学路径的差是通过透明材料的不同厚度形成的。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述光学路径的差是通过不同折射率形成的。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中所述透明层为二氧化硅、氮化硅或透明有机材料。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述光学路径为彼此不同的。
6.根据权利要求2所述的图像传感器,其中所述透明材料包含弯曲表面。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其进一步包括安置成横跨所述透明层的第二层,且所述第二层在与所述第二层的接触所述透明层的表面相对的表面上包含平面或大致平面表面。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,其进一步包括安置成横跨所述第二层的多个微透镜。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,其中每一微透镜横跨一个别像素。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中每一微透镜横跨一像素核心。
11.一种用于制造图像传感器的方法,所述方法包括以下步骤:
(a)提供具有多个光电二极管的有源层,每一光电二极管用于响应于光而收集电荷;
(b)提供横跨所述有源层的电介质;
(c)提供横跨所述电介质的多个微透镜;
(d)蚀刻所述微透镜以将所述微透镜的形状转移到所述电介质;
(e)对所述电介质的一部分上方的抗蚀剂进行图案化以形成经暴露的及未经暴露的电介质;
(g)蚀刻所述经暴露的电介质;
(h)移除所述抗蚀剂;及
(i)重复步骤(e)到(h)。
12.一种成像装置,其包括:
图像传感器,其包括:
(a)像素阵列,其包括周期性重复的多个核心,且每一核心包含用于响应于光而收集电荷的n个光敏区域,n等于或大于2;及
(b)透明层,其横跨所述光敏区域,具有n个光学路径,所述n个光学路径中的至少两者为不同的,其中每一光学路径将预定光谱带的光引导到特定光敏区域中。
13.根据权利要求12所述的成像装置,其中所述光学路径的差是通过透明材料的不同厚度形成的。
14.根据权利要求12所述的成像装置,其中所述光学路径的差是通过不同折射率形成的。
15.根据权利要求14所述的成像装置,其中所述透明层为二氧化硅、氮化硅或透明有机材料。
16.根据权利要求12所述的成像装置,其中所述光学路径为彼此不同的。
17.根据权利要求13所述的成像装置传感器,其中所述透明材料包含弯曲表面。
18.根据权利要求12所述的成像装置,其进一步包括安置成横跨所述透明层的第二层,且所述第二层在与所述第二层的接触所述透明层的表面相对的表面上包含平面或大致平面表面。
19.根据权利要求18所述的成像装置,其进一步包括安置成横跨所述第二层的多个微透镜。
20.根据权利要求12所述的成像装置,其中每一微透镜横跨一个别像素。
21.根据权利要求12所述的成像装置,其中每一微透镜横跨一像素核心。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的