[发明专利]多处气体馈送装置与方法无效
申请号: | 200980142491.0 | 申请日: | 2009-10-20 |
公开(公告)号: | CN102197458A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 艾伦·曹;崔伦;汤姆·K·周;布赖恩·西-元·施赫 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 馈送 装置 方法 | ||
1.一种处理设备,其包含:
喷气头;
背板,其与所述喷气头相邻,使得气室形成在所述背板与所述喷气头之间;
第一气源,其与穿过所述背板的中央区形成的开口流体连通;以及
第二气源,其与穿过所述背板的角落区形成的开口流体连通。
2.根据权利要求1所述的处理设备,还包含第一质流控制器,其与所述第一气源流体连通,以控制通过所述穿过背板的中央区所形成的开口的气流,其中,所述第二气源与穿过所述背板的每一角落区形成的开口流体连通。
3.根据权利要求2所述的处理设备,还包含第二质流控制器,其与所述第二气源流体连通,以控制通过所述穿过背板的每一角落区所形成的开口的气流。
4.根据权利要求2所述的处理设备,还包含复数个第二质流控制器,其中,每一第二质流控制器与所述第二气源流体连通。
5.根据权利要求2所述的处理设备,还包含阻障件,其设置在所述气室的中央区以及所述气室的每一角落区之间,其中,每一阻障件贴附至所述背板。
6.一种处理设备,其包含:
喷气头;
背板,其与所述喷气头相邻,使得气室形成在所述背板与所述喷气头之间,其中,所述气室包含中央区以及复数个角落区,并且其中,阻障件设置在所述气室的中央区以及所述气室的每一角落区之间;
第一气源,其与所述气室的中央区流体连通;
第一质流控制器,其与所述第一气源以及所述气室的中央区流体连通;
第二气源,其与所述气室的至少一个角落区流体连通;以及
第二质流控制器,其与所述第二气源以及所述气室的至少一个角落区流体连通。
7.根据权利要求6所述的处理设备,还包含复数个质流控制器,其中,所述气室的每一角落区具有与之流体连通的第二质流控制器。
8.根据权利要求6所述的处理设备,还包含复数个第二气源,其中,所述气室的每一角落区具有与之连通的第二气源。
9.根据权利要求8所述的处理设备,还包含复数个质流控制器,其中,所述气室的每一角落区具有与之流体连通的第二质流控制器。
10.一种处理设备,其包含:
喷气头;
背板,其与所述喷气头并列,使得气室形成在所述背板与所述喷气头之间;
阻障件,其贴附至所述背板,并设置在所述气室的中央区以及所述气室的每一角落区之间;
气源,其与所述气室的中央区以及角落区流体连通;
第一质流控制器,其与所述气源以及所述气室的中央区流体连通;以及
第二质流控制器,其与所述气源以及所述气室的角落区的至少一者流体连通。
11.根据权利要求10所述的处理设备,其中,所述第二质流控制器与所述气室的角落区中的每一者流体连通。
12.根据权利要求10项所述的处理设备,还包含复数个第二质流控制器,其中,所述气室的每一角落区与所述第二质流控制器中的一者流体连通。
13.一种用于沉积薄膜的方法,其包含:
将第一气体混合物导入气室的中央区中,所述气室形成在处理设备的背板以及处理设备的喷气头之间;
将第二气体混合物导入所述气室的角落区中;以及
在扩散通过所述喷气头前,实质上防止所述第一气体混合物与所述第二气体混合物混合。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述第二气体混合物导入所述气室的每一角落区中。
15.根据权利要求13所述的方法,还包含将第三气体混合物导入所述气室的第二角落区中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造