[发明专利]以高分辨率可变初始编程脉冲对非易失性存储器编程

权利要求书

1.一种对非易失性存储器编程的方法，包括：

对多个非易失性存储器元件执行多阶段编程处理的一个阶段，该多阶段编程处理将所述多个非易失性存储器元件编程至一个或多个最终目标条件，所述一个阶段包括使用第一编程脉冲集合将所述多个非易失性存储器元件编程至一个或多个第一中间目标条件，执行所述一个阶段包括：标识与实现特定结果相关的编程脉冲；关于所述非易失性存储器元件的一个或多个可替选结果执行一个或多个感测操作；如果所述感测操作确定出大于预定数量的非易失性存储器元件实现了所述一个或多个可替选结果的第一可替选结果，则存储基于所述第一可替选结果和所标识的编程脉冲的标识；以及如果所述感测操作未确定出有足够数量的非易失性存储器元件实现所述一个或多个可替选结果，则存储基于所标识的编程脉冲的标识；以及

执行所述多阶段编程处理的附加阶段，该附加阶段包括：施加第二编程脉冲集合，该第二编程脉冲集合的初始脉冲具有基于所存储的标识而设置的幅值。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述一个阶段还包括：响应于实现所述特定结果，降低所述第一编程脉冲集合的脉冲之间的增量。

3.根据权利要求2或3所述的方法，其中：所述标识与实现特定结果相关的编程脉冲包括：执行感测操作以确定是否有预定数量的非易失性存储器元件已实现所述特定结果，以及标识使得所述预定数量的非易失性存储器元件已实现所述特定结果的特定编程脉冲，该特定编程脉冲是与实现所述特定结果相关的编程脉冲；以及

第一可替选结果与所述特定结果相差所述第一编程脉冲集合的脉冲之间的增量的一部分。

4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其中：

所述特定结果为第一阈值电压值；

所述第一可替选结果为与所述特定结果相差所述第一编程脉冲集合的脉冲之间的增量的所述一部分的第二阈值电压值；并且

该方法还包括：如果所存储的标识基于所标识的编程脉冲，则将所述第二编程脉冲集合的初始脉冲的幅值设置为第一电平，并且，如果所存储的标识基于所述第一可替选结果和所标识的编程脉冲，则将所述第二编程脉冲集合的初始脉冲的幅值设置为第二电平，该第二电平低于该第一电平。

5.根据任一前述权利要求所述的方法，其中：

所述多个非易失性存储器元件连接至共同字线。

6.根据任一前述权利要求所述的方法，还包括：

在执行所述一个阶段之后且在执行所述附加阶段之前，在并非所述多阶段编程处理的一部分的另一编程处理中执行对其他非易失性存储器元件的编程，所述其他非易失性存储器元件不同于所述多个非易失性存储器元件。

7.根据任一前述权利要求所述的方法，其中：

所述特定结果为足够数量的非易失性存储器元件达到一个或多个第一中间目标条件。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中：

所述特定结果为足够数量的非易失性存储器元件达到介于所述第一中间目标条件的条件。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

关于所述非易失性存储器元件的一个或多个可替选结果执行一个或多个感测操作包括：关于所述第一可替选结果的测试，以及关于第二可替选结果的测试；

该方法还包括：如果所述感测操作确定出足够的非易失性存储器元件达到所述第二可替选结果，则基于所述第二可替选结果和所标识的编程脉冲存储所述标识；

所述特定结果为第一阈值电压值；

所述第一可替选结果为与所述特定结果相差所述第一编程脉冲集合的脉冲之间的增量的所述一部分的第二阈值电压值；

所述第二可替选结果为与所述特定结果相差所述第一编程脉冲集合的脉冲之间的增量的所述一部分的第三阈值电压值；

该方法还包括：如果所存储的标识基于所标识的编程脉冲，则将所述第二编程脉冲集合的初始脉冲的幅值设置为第一电平，并且，如果所存储的标识基于所述第一可替选结果和所标识的编程脉冲，则将所述第二编程脉冲集合的初始脉冲的幅值设置为第二电平，如果所存储的标识基于所述第二可替选结果和所标识的编程脉冲，则将所述第二编程脉冲集合的初始脉冲的幅值设置为第三电平；并且

该第二电平低于该第一电平，且第三电平低于第二电平。