[发明专利]异质LIGA 方法

权利要求书

1.制造金属显微结构的方法，该金属显微结构至少包括用第一金属材料制成的第一元件(5)，该第一元件插入由第二金属材料制成的第二元件(10)中，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

a)提供具有导电打底表面(2)的衬底(1、2)；

b)-d)通过UV光刻法形成第一树脂模型(3b)，该第一树脂模型中的开口显露出衬底的导电打底表面(2)；

e)通过在第一树脂模型(3b)的开口中电沉积第一金属材料来电铸第一元件(5)；

f)除去第一元件(5)周围的第一模型(3b)以便露出衬底的导电打底表面(2)；

g)-i)通过UV光刻法形成新的树脂模型，在新树脂模型(7b)中的开口显露出第一元件(5)和衬底的导电打底表面(2)；

j)通过在新树脂模型(7b)的开口中电沉积第二金属材料来电铸第二元件(10)，以便形成所述金属显微结构；

k)使所述金属显微结构与衬底(1)和所述新模型(7b)分离。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤b)-d)和g)-i)分别包括用光敏树脂层(3、7)涂覆衬底的表面、穿过与所需图形空腔一致的掩膜(4、8)照射光敏树脂层(3、7)及显影光敏树脂层(3、7)以便在光敏树脂层中制成所述开口。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，它包括在步骤e)和/或步骤j)之前，用于清洗和活化衬底(1)上存在的树脂(3、7)的表面的等离子体曝光步骤。

4.根据上述权利要求中任一项所述的制造方法，其特征在于，它包括在步骤j)之后调平金属显微结构的步骤n)。

5.根据权利要求1、2或3所述的制造方法，其特征在于，它包括在步骤k)之后调平金属显微结构的步骤n)。

6.根据上述权利要求中任一项所述的制造方法，其特征在于，衬底(1)还包括促进步骤k)的牺牲层。

7.根据上述权利要求中任一项所述的制造方法，其特征在于，衬底(1)由硅、玻璃或陶瓷材料形成。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，导电打底表面(2)由铬和金层堆叠形成。

9.根据权利要求1-6中任一项所述的制造方法，其特征在于，衬底(1)由不锈钢或形成所述导电打底表面的金属形成。

10.根据上述权利要求中任一项所述的制造方法，其特征在于，在同一衬底(1)上同时制成多个显微结构。