[发明专利]太阳能电池的制造方法、蚀刻装置和CVD装置无效
| 申请号： | 200980142934.6 | 申请日： | 2009-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102203962A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 高桥明久;石桥晓;浮岛祯之;松原将英;冈部哲 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 陈万青;王珍仙 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 蚀刻 装置 cvd | ||
1.一种太阳能电池的制造方法，形成ZnO的透明导电膜作为光入射侧的功率提取电极，其特征在于，该制造方法至少依次具备：
工序A，施加溅射电压，使由所述透明导电膜的成膜材料形成的靶溅射，在基板上形成所述透明导电膜；
工序B，在所述透明导电膜的表面形成纹理；
工序C，使用UV/臭氧对形成有所述纹理的所述透明导电膜的表面进行洗涤；和
工序D，在所述透明导电膜上形成发电层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，施加所述溅射电压，在所述靶的表面产生水平磁场，使所述靶溅射。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，通过所述透明导电膜形成作为光入射侧的功率提取电极的上部电极。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在所述工序B中，通过湿式蚀刻形成所述纹理。
5.根据权利要求1或4所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在所述工序A中，作为所述透明导电膜的成膜材料，使用向ZnO添加包含Al或Ga的物质而成的材料。
6.一种蚀刻装置，为对太阳能电池用的透明导电膜进行湿式蚀刻的蚀刻装置，其特征在于，
具备在湿式蚀刻后使用UV/臭氧对所述透明导电膜表面进行洗涤的洗涤单元。
7.根据权利要求6所述的蚀刻装置，其特征在于，进一步具备对所述透明导电膜进行湿式蚀刻的湿式蚀刻部，
所述洗涤单元设置在所述湿式蚀刻部的下游。
8.根据权利要求7所述的蚀刻装置，其特征在于，进一步具备形成发电层的发电层形成部，
所述发电层形成部设置在所述洗涤单元的下游。
9.一种CVD装置，为通过CVD法形成太阳能电池用的发电层的CVD装置，其特征在于，
具备在形成所述发电层之前使用UV/臭氧对形成有所述发电层的基体的表面进行洗涤的洗涤单元。
10.根据权利要求9所述的CVD装置，其特征在于，进一步具备形成所述发电层的发电层成膜部，
所述洗涤单元设置在所述发电层成膜部的上游。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
