[发明专利]具有光阻挡元件的光源无效
| 申请号： | 200980142939.9 | 申请日： | 2009-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102203970A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 凯瑟琳·A·莱瑟达勒;迈克尔·A·哈斯;托德·A·巴伦;托马斯·J·米勒 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 梁晓广;关兆辉 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有光 阻挡 元件 光源 | ||
1.一种发光系统，包括：
电致发光装置，从所述电致发光装置的顶部表面发射第一波长的光；
邻近所述电致发光装置的侧面的构造，所述构造用于阻挡否则会离开所述侧面的第一波长的光；和
再发射半导体构造，包括II-VI势阱，并且接收离开所述电致发光装置的所述第一波长的光并将所接收的光的至少一部分转换为第二波长的光，其中离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的整体发射强度为离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的整体发射强度的至少4倍。
2.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述电致发光装置包括LED。
3.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述II-VI势阱包括Cd(Mg)ZnSe或ZnSeTe。
4.根据权利要求1所述的发光系统，其中邻近所述电致发光装置的侧面用于阻挡所述第一波长的光的所述构造主要通过吸收所述光来阻挡所述光。
5.根据权利要求4所述的发光系统，其中所述构造包括光致抗蚀剂。
6.根据权利要求1所述的发光系统，其中邻近所述电致发光装置的侧面用于阻挡所述第一波长的光的所述构造主要通过反射所述光来阻挡所述光。
7.根据权利要求1所述的发光系统，其中邻近所述电致发光装置的侧面的所述构造阻挡所述第一波长的光，但不阻挡在电磁波谱的可见光范围内的其他波长的光。
8.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述构造为电绝缘的并且直接接触所述电致发光装置的至少一个电极。
9.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述构造还阻挡否则会离开所述再发射半导体构造的侧面的第一波长或第二波长的光。
10.根据权利要求1所述的发光系统，其中离开所述电致发光装置并且由所述再发射半导体构造接收的所述第一波长的光的大部分通过所述电致发光装置的顶部表面离开所述电致发光装置。
11.根据权利要求1所述的发光系统，还包括位于所述构造和邻近所述构造的所述侧面之间的中间区域。
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