[发明专利]双栅极场效应晶体管和生产双栅极场效应晶体管的方法

权利要求书

1.一种双栅极场效应晶体管(1)，包括第一和第二电介质层(6，7)、第一和第二栅电极(9，11)以及由至少一个源电极(3)，至少一个漏电极(4)和至少一个有机半导体(5)构成的组件(2)，其中

-所述源电极(3)和所述漏电极(4)与所述半导体(5)接触，

-所述组件(2)位于所述第一电介质层(6)和所述第二电介质层(7)之间，

-所述第一电介质层(6)位于所述第一栅电极(9)和所述组件(2)的第一侧(8)之间，并且

-所述第二电介质层(7)位于所述第二栅电极(11)和所述组件(2)的第二侧(10)之间，

其特征在于所述有机半导体(5)是有机双极性传导半导体(12)，其在所述组件(2)的第一侧(8)实现至少一个电子注入区域(18)并在所述组件(2)的第二侧(19)实现至少一个空穴注入区域(18)。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管(1)，其中所述有机双极性传导半导体(12)为有机双极性传导半导体膜(13)。

3.根据权利要求2所述的场效应晶体管(1)，其中所述有机双极性传导半导体膜(13)包括适于实现电子沟道的第一分层区域(15)以及用于实现空穴沟道的第二分层区域(16)。

4.根据权利要求2所述的场效应晶体管(1)，其中所述有机双极性传导半导体膜(13)包括适于实现电子沟道的第一层以及用于实现空穴沟道的第二层。

5.根据权利要求2所述的场效应晶体管(1)，其中所述有机半导体膜(13)的厚度低于20nm，优选低于10nm。

6.根据权利要求2所述的场效应晶体管(1)，其中所述有机双极性传导半导体膜(13)是有机半导体单层或者包括有机半导体单层。

7.根据权利要求6所述的场效应晶体管(1)，其中所述有机半导体单层是自组装半导体单层(14)。

8.根据权利要求1所述的场效应晶体管(1)，其中所述第一电介质层(6)和/或所述第二电介质层(7)是有机铁电层。

9.根据权利要求1所述的场效应晶体管(1)，其中所述晶体管(1)还包括至少一个透射窗口，该透射窗口使得能够从所述双极性传导半导体(12)发射光。

10.一种光发射装置(20)，尤其是激光装置，包括至少一个根据权利要求1到9中的任一项所述的场效应晶体管(1)。

11.一种传感器系统，包括至少一个根据权利要求1到8中的任一项所述的场效应晶体管(1)。

12.一种存储装置，包括至少一个根据权利要求1到8中的任一项所述的场效应晶体管(1)。

13.一种生产双栅极场效应晶体管(1)的方法，包括如下步骤：

-向栅电极(9，11)的表面施加电介质层(6，7)；

-利用至少一个光刻掩模向所述电介质层(6，7)施加源电极(3)和漏电极(4)；

-激活至少所述源电极(3)和所述漏电极(4)之间的有源区中的电介质层(6，7)；

-利用半导体分子溶液润湿电介质层(6，7)、栅电极(9，11)、源电极(3)和漏电极(4)的集合体，以在所述有源区中形成自组装半导体单层(14)；

-向所述自组装半导体单层(14)施加另一电介质层(7，6)；以及

-向所述另一电介质层(7，6)施加另一栅电极(11，9)。

14.根据权利要求13所述的方法，其中优选通过氧等离子体处理、继之以酸水解来激活所述有源区中的电介质层(6，7)的表面。

15.根据权利要求13或14所述的方法，其中通过将所述集合体浸入所述半导体分子溶液中进行对所述集合体的润湿。