[发明专利]离子注入装置有效
| 申请号： | 200980143329.0 | 申请日： | 2009-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102203856A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 西桥勉;渡边一弘;森田正;佐藤贤治;田中努;涡卷拓也 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;H01J37/317 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 注入 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种离子注入装置，具有：
真空槽；
离子照射装置，向所述真空槽内部照射离子；
基板架，在所述真空槽内部的照射离子的照射范围内保持处理对象物；
测定对象物，配置在所述真空槽内部的所述照射范围内；以及
温度测定装置，测定所述测定对象物的温度。
2.如权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，
具有与所述温度测定装置连接的控制装置，
在所述控制装置中存储有所述测定对象物的温度和向所述处理对象物注入的原子数的关系。
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