[发明专利]碳化硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 200980143619.5 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102203330A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 龟井一人;楠一彦;矢代将齐;八内昭博;下崎新二 | 申请（专利权）人： | 住友金属工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/04 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC单晶的制造方法，其特征在于，该SiC单晶的制造方法在由Si合金的熔体形成的溶剂中溶解C而成的SiC溶液中浸渍晶种，并使至少晶种附近的溶液通过过冷而处于过饱和状态，从而使SiC单晶在晶种上生长，
所述Si合金是具有如下组成的合金：
以SixCryTiz表示，且分别为原子％的x、y和z满足
(1)0.50＜x＜0.68、0.08＜y＜0.35以及0.08＜z＜0.35、或
(2)0.40＜x≤0.50、0.15＜y＜0.40以及0.15＜z＜0.35。
2.根据权利要求1所述的SiC单晶的制造方法，其中，x、y和z满足0.53＜x＜0.65、0.1＜y＜0.3以及0.1＜z＜0.3。
3.根据权利要求1或2所述的SiC单晶的制造方法，其中，所述SiC溶液保持在大气压的惰性气体气氛下。
4.一种带SiC外延膜的晶片，其在晶种基板上具有通过权利要求1或2所述的方法制造的SiC单晶薄膜。
5.根据权利要求4所述的带SiC外延膜的晶片，其中，所述SiC单晶薄膜的载流子密度为5×1017/cm3以下。
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