[发明专利]具有电子反射绝缘间隔层的通量闭合STRAM

权利要求书

1.一种自旋转移矩存储单元，包括：

多层自由磁性元件，所述多层自由磁性元件包括第一自由磁性层，所述第一自由磁性层通过电绝缘且电子反射层反铁磁地耦合到第二自由磁性层；

参考磁性层；以及

将所述自由磁性元件与所述参考磁性层分离的电绝缘且非磁性隧穿阻挡层。

2.如权利要求1所述的自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述电绝缘且电子反射层具有不均匀的厚度。

3.如权利要求1所述的自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述电绝缘且电子反射层具有从3至15埃范围中的厚度值。

4.如权利要求1所述的自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述电绝缘且电子反射层包括MgO、CuO、TiO、AlO、TaO、TaN或SiN。

5.如权利要求1所述的自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述电绝缘且电子反射层具有从1至10欧姆μm²的面电阻。

6.如权利要求1所述的自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述参考磁性层包括合成反铁磁体元件。

7.如权利要求1所述的自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述多层自由磁性元件还包括将所述电绝缘且电子反射层与所述第一自由磁性层或所述第二自由磁性层之一分离的导电非铁磁体层。

8.如权利要求7所述的自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述多层自由磁性元件还包括第二电绝缘且电子反射层，并且所述导电非铁磁体层将所述电绝缘且电子反射层与所述第二电绝缘且电子反射层分离。

9.如权利要求7所述的自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述导电非铁磁体层具有从5至20埃范围中的厚度值。

10.如权利要求7所述的自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述导电非铁磁体层包括Ta、Cu、Ru或Au。

11.一种通量闭合自旋转移矩存储单元，包括：

多层自由磁性元件，所述多层自由磁性元件包括第一自由磁性层，所述第一自由磁性层通过电绝缘且电子反射层和导电非铁磁体层反铁磁地耦合到第二自由磁性层；

参考磁性层；以及

将所述自由磁性元件与所述参考磁性层分离的电绝缘且非磁性隧穿阻挡层。

12.如权利要求11所述的通量闭合自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述电绝缘且电子反射层具有不均匀的厚度。

13.如权利要求11所述通量闭合自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述电绝缘且电子反射层具有从3至15埃范围中的厚度值。

14.如权利要求11所述通量闭合自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述电绝缘且电子反射层包括MgO、CuO、TiO、AlO、TaO、TaN或SiN。

15.如权利要求11所述的通量闭合自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述电绝缘且电子反射层具有从1至10欧姆μm²的面电阻。

16.如权利要求11所述的通量闭合自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述参考磁性层包括合成反铁磁体元件。

17.如权利要求11所述的通量闭合自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述多层自由磁性元件还包括第二电绝缘且电子反射层，并且所述导电非铁磁体层将所述电绝缘且电子反射层与所述第二电绝缘且电子反射层分离。

18.如权利要求11所述的通量闭合自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述导电非铁磁体层具有从5至20埃范围中的厚度值。

19.如权利要求11所述的通量闭合自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述导电非铁磁体层包括Ta、Cu、Ru或Au。

20.一种通量闭合自旋转移矩存储单元，包括：

多层自由磁性元件，所述多层自由磁性元件包括第一自由磁性层，所述第一自由磁性层通过电绝缘且电子反射层反铁磁地耦合到第二自由磁性层，所述电绝缘且电子反射层具有从3至15埃范围中的厚度值且包括MgO、CuO、TiO、AlO、TaO、TaN或SiN；

包括合成反铁磁体元件的参考磁性层；以及

将所述自由磁性元件与所述参考磁性层分离的电绝缘且非磁性隧穿阻挡层。