[发明专利]包含晶片内主动热转移系统之半导体装置

权利要求书

1.一种堆叠晶片组构，包括：

第一晶片，包括第一基板与第一装置特征，该第一装置特征系形成于该第一基板上方；

第二晶片，系位于该第一晶片上方，且包括第二基板与第二装置特征，该第二装置特征系形成于该第二基板上方，至少一些该第二装置特征形成电流驱动热转移系统；以及

散热器，系位于该第二晶片上方，且热耦接至该电流驱动热转移系统。

2.如权利要求1所述的堆叠晶片组构，其中，该第二装置特征的子集合形成记忆体电路。

3.如权利要求1所述的堆叠晶片组构，其中，该至少一些装置特征包括半导体元件，该半导体元件系以至少两种不同的半导体材料为基础形成於该第一晶片之装置层次中。

4.如权利要求1所述的堆叠晶片组构，其中，该至少一些装置特征系以至少两种不同的金属材料为基础形成於该第一晶片的金属化系统中。

5.如权利要求1所述的堆叠晶片组构，其中，该电流驱动热转移系统系经定位，以便对准该第一晶片之速度关键装置区域。

6.如权利要求1所述的堆叠晶片组构，复包括控制电路，该控制电路形成於该第二晶片之中且有效地连接至该电流驱动热转移系统，其中，该控制电路系经组构，以经由该电流驱动热转移系统决定一部份该第一晶片的热状态。

7.如权利要求6所述的堆叠晶片组构，其中，该控制电路系经组构，以致能该热转移系统中的电流流动，藉以加热或冷却该第一晶片的该部份。

8.如权利要求7所述的堆叠晶片组构，其中，该控制电路系经组构为当该第一晶片系处于特定操作阶段时致能电流流動，藉以冷却该第一晶片的该部份。

9.如权利要求1所述的堆叠晶片组构，复包括位于该第二晶片上方之至少一个进一步晶片，其中，该至少一个进一步晶片包括由该至少一个进一步晶片之装置特征所形成之进一步电流驱动热转移系统。

10.如权利要求9所述的堆叠晶片组构，其中，该进一步电流驱动热转移系统系对准形成于该第二晶片中之该电流驱动热转移系统。

11.如权利要求1所述的堆叠晶片组构，复包括位于该第一及第二晶片之间的散热材料，其中，该散热材料包括垂直电性连接部，用于连接该第一及第二晶片。

12.如权利要求1所述的堆叠晶片组构，其中，该散热材料包括形成其他电流驱动热转移系统之装置特征。

13.一种半导体装置，包括：

基板；

以该基板为基础所形成的装置特征，该装置特征形成代表电流驱动热转移系统之电子电路，该电流驱动热转移系统系经组构以于该基板上方之特定部份提供加热效果及冷却效果之至少一者。

14.如权利要求13所述的半导体装置，复包括热耦接至该特定部份的功能性电路部份。

15.如权利要求14所述之半导体装置，其中，该功能性电路系以经定位于该基板下方之第二基板为基础所形成，以便形成堆叠晶片组构。

16.如权利要求15所述的半导体装置，复包括以该基板为基础所形成之第二功能性电路部份。

17.如权利要求16所述的半导体装置，其中，该第二功能性电路部份包括记忆体电路及图形处理电路之至少一者。

18.如权利要求15所述的半导体装置，复包括位于该基板及该第二基板上方之第三基板，其中，进一步电流驱动热转移系统系以该第三基板为基础所形成。

19.如权利要求18所述的半导体装置，其中，该进一步电流驱动热转移系统系垂直对准该热转移系统。

20.一种控制半导体装置中温度的方法，该方法包括：

于晶片中设置电流驱动热转移系统，该电流驱动热转移系统热连接至位于该晶片中之第一温度来源及第二温度来源；以及

当该半导体装置系处于特定操作阶段时，操作该电流驱动热转移系统，以便冷却该第一及第二温度来源的其中一者。

21.如权利要求20所述的方法，其中，该第一温度来源系热耦接至该半导体装置之温度关键电路部份，且其中，当该温度关键电路部份的温度超过特定温度时，该第一温度来源系经冷却。