[发明专利]制造太阳能电池的技术有效
申请号: | 200980144167.2 | 申请日: | 2009-10-20 |
公开(公告)号: | CN102203955A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 朱利安·G·布雷克;凯文·M·丹尼尔斯 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L21/265 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 太阳能电池 技术 | ||
1.一种制造太阳能电池的方法,包括:
在太阳能电池的上方设置罩幕,所述罩幕包括多个条状物,其中所述条状物彼此相间隔以定义出至少一狭缝;
将所需物种的带状离子束导向所述太阳能电池,以将离子植入所述太阳能电池的一部分,其中所述太阳能电池的所述部分由所述罩幕的所述狭缝所定义;以及
定向所述带状离子束,使所述带状离子束的较长剖面尺寸在一平面上与所述狭缝垂直。
2.根据权利要求1所述的制造太阳能电池的方法,还包括:
于所述罩幕与所述太阳能电池之间提供一间隙,所述间隙具有第一预定距离。
3.根据权利要求2所述的制造太阳能电池的方法,还包括:
对由所述罩幕的所述狭缝所定义的所述太阳能电池进行离子植入,而不对位在所述条状物下方的所述太阳能电池的另一部分进行离子植入。
4.根据权利要求1所述的制造太阳能电池的方法,还包括:
提供接地电压至所述罩幕的所述条状物。
5.根据权利要求1所述的制造太阳能电池的方法,其中所述离子包含硼、铝、镓、铟、铊、碳、硅、锗、锡、铅、氮、磷、砷、锑、铋以及碲中至少一者。
6.根据权利要求1所述的制造太阳能电池的方法,其中所述罩幕还包括第一条状支撑件与第二条状支撑件,以及其中各个所述条状物为导线,且所述第一条状支撑件与所述第二条状支撑件维持所述导线的张力。
7.根据权利要求6所述的制造太阳能电池的方法,其中所述导线为金属导线,所述金属导线包括金、银、铂、铁、镍、铜、铝、锌、硅、锡、钨、铅以及碳纤维中至少一者。
8.根据权利要求6所述的制造太阳能电池的方法,其中所述导线包括石墨、石英、碳化硅以及氮化硅中至少一者。
9.一种离子植入机,用以制造太阳能电池,所述离子植入机包括:
离子源,用以产生离子;
基板支撑件,用以支撑所述太阳能电池;
至少一束线构件,用以将所述离子操纵成带状离子束,以及将所述带状离子束导向所述太阳能电池;以及
位于所述太阳能电池上方的罩幕,所述罩幕包括第一条状支撑件与第二条状支撑件以及多个条状物,所述条状物彼此相间隔,以定义出沿着所述条状物的至少一狭缝,其中所述第一条状支撑件与所述第二条状支撑件维持所述条状物的张力。
10.根据权利要求9所述的离子植入机,其中各个所述条状物包括导线。
11.根据权利要求9所述的离子植入机,其中所述条状物包括金、银、铂、铁、镍、铜、铝、锌、硅、锡、钨、铅以及碳纤维中至少一者。
12.根据权利要求9所述的离子植入机,其中所述条状物包括石英、碳化硅以及氮化硅中至少一介电材料。
13.一种罩幕,用以制造太阳能电池,所述罩幕包括:
第一条状支撑件与第二条状支撑件,彼此以第一预定距离相间隔;以及
多个条状物,彼此以第二预定距离相间隔,以定义出沿着所述条状物的至少一狭缝,其中所述第一条状支撑件与所述第二条状支撑件维持所述条状物的张力。
14.根据权利要求13所述的罩幕,其中各个所述条状物包括导线。
15.根据权利要求13所述的罩幕,其中所述条状物包括金、银、铂、铁、镍、铜、铝、锌、硅、锡、钨、铅以及碳纤维中至少一者。
16.根据权利要求13所述的罩幕,其中所述条状物包括金属导线。
17.根据权利要求13所述的罩幕,其中所述条状物包括石英、碳化硅以及氮化硅中至少一者。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦里安半导体设备公司,未经瓦里安半导体设备公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980144167.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:正极集电体及其制造方法
- 下一篇:用于浇铸树脂变压器绕组的保持装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的