[发明专利]高频差分放大器和收发器电路有效
| 申请号： | 200980144424.2 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102210097A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | M·诺伊舍勒;R·埃克特;A·温茨勒 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F3/45 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;李家麟 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频 差分放大器 收发 电路 | ||
1. 一种用于总线系统（11）的收发器电路（21）的高频差分放大器（61），其具有带有绝缘层场效应晶体管（M1，M2）的两个晶体管级（63，65）和连接到所述两个晶体管级（63，65）上的共同的支路（67），用于使晶体管级（63，65）彼此耦合，其中与共同的支路（67）相关有高频差分放大器（61）的用于产生穿过共同的支路（67）流动的工作电流（Ibias）的电流源（75），其特征在于，晶体管级（63，65）被设立用于在弱反型的情况下驱动绝缘层场效应晶体管（M1，M2），以及电流源（75）被构造用于补偿至少一个绝缘层场效应晶体管（M1，M2）的增益的温度相关性，使得工作电流（Ibias）与高频差分放大器（61）的温度（T）有关。
2. 根据权利要求1所述的放大器（61），其特征在于，由电流源（75）产生的工作电流（Ibias）至少基本上与高频放大器（61）的温度（T）成比例。
3. 根据权利要求1或2所述的放大器（61），其特征在于，电流源（75）包括另外的绝缘层场效应晶体管（M6，M7，M8，M9，M10，M11），并且电流源（75）被设立用于在弱反型的情况下驱动绝缘层场效应晶体管中的至少一个（M9，M10，M11）。
4. 根据上述权利要求之一所述的放大器（61），其特征在于，电流源是用于产生工作电流（Ibias）的环形电流源（75），并且放大器（61）具有用于将工作电流（Ibias）注入共同的支路（67）中的电流镜（73）。
5. 一种用于总线系统的收发器电路（21），其具有高频差分放大器（61），所述高频差分放大器（61）具有带有绝缘层场效应晶体管（M1，M2）的两个晶体管级（63，65）和连接到所述两个晶体管级（63，65）上的共同的支路（67），用于使晶体管级（63，65）彼此耦合，其中与共同的支路（67）相关有高频差分放大器（61）的用于产生穿过共同的支路（67）流动的工作电流（Ibias）的电流源（75），其特征在于，高频差分放大器（61）根据上述权利要求之一来构造。
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