[发明专利]用于碱性蚀刻溶液尤其是纹理蚀刻溶液的添加剂及其制备方法无效
申请号: | 200980144503.3 | 申请日: | 2009-11-05 |
公开(公告)号: | CN102217047A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 艾哈尔·米尔因克;杰恩斯·库因伯格;米歇尔·施米特;米歇尔·迈切尔 | 申请(专利权)人: | GP太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;C09K13/02 |
代理公司: | 北京金恒联合知识产权代理事务所 11324 | 代理人: | 李强 |
地址: | 德国康*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 碱性 蚀刻 溶液 尤其是 纹理 添加剂 及其 制备 方法 | ||
1.一种产品(64),该产品可利用以下处理获得:
把至少一种聚乙二醇与一种碱混合,
使该混合物(52)在空气环境中和大约25℃的温度下静置,直到形成两相(56,58),
分离(16)较低浓度的相(56),该较低浓度的相代表了产品。
2.根据权利要求1所述的产品,其特征在于使用氢氧化碱作为碱,优选地是使用氢氧化钠或氢氧化钾。
3.根据权利要求前述任何一项权利要求的产品,其特征在于使用四乙二醇作为至少一种聚乙二醇。
4.根据权利要求前述任何一项权利要求的产品,其特征在于使所述较低浓度的相(56)在空气环境条件下被静置,直到所述较低浓度的相变色,优选地是变色为一种橙色。
5.根据权利要求前述任何一项权利要求的产品,其特征在于使所述水被混合到该混合物中。
6.根据权利要求前述任何一项权利要求的产品,其特征在于在把乙醇且优选地是异丙醇、水和氢氧化碱且优选地是氢氧化钠或氢氧化钾混合到该较低浓度的分离相中。
7.根据权利要求前述任何一项权利要求的产品,其特征在于该分离相的体积百分比是0.01~5%,优选地是0.01~1%,且特别优选地是0.07~0.3%。
8.根据权利要求前述任何一项权利要求的产品作为半导体材料的碱性蚀刻溶液的添加物的应用,所述碱性蚀刻溶液优选地是用于无机半导体材料的碱性蚀刻溶液。
9.根据权利要求6或7项所述的产品作为半导体材料的纹理蚀刻溶液的应用,所述半导体材料优选地是无机半导体材料,且特别优选地是硅材料。
10.根据权利要求1至7之一所述的产品的制造方法,其中
把至少一种聚乙二醇与一种碱混合而,且
在该混合物(52;53)中形成了两相(56,58)后,把代表所述产品的较低浓度的相分离。
11.根据权利要求10的方法,其特征在于用氢氧化碱作为碱,所述氢氧化碱优选地是使用氢氧化钠或氢氧化钾。
12.根据权利要求10或11的方法,其特征在于用四乙二醇作为至少一种聚乙二醇。
13.根据权利要求10至12之一的方法,其特征在于等待该较低浓度的相的变色,优选地是变色为一种橙色。
14.根据权利要求10至13之一的方法,其特征在于在形成所述两相(56,58)之前,所述混合物被置于20℃至100℃的温度,优选地是60℃至100℃的温度,且特别优选地是75℃至85℃的温度。
15.根据权利要求10至14之一的方法,其特征在于水被混合(20)至该混合物(53)中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于GP太阳能有限公司,未经GP太阳能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980144503.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造