[发明专利]反向导通半导体装置

权利要求书

1.一种反向导通半导体装置(200)，包括共同晶圆(100)上的续流二极管和绝缘栅双极晶体管，在成品反向导通半导体装置(200)中具有未修正掺杂的所述晶圆(100)的部分形成基层(101)，其中

所述绝缘栅双极晶体管包括集电极侧(103)和发射极侧(104)，并且所述集电极侧(103)设置成与所述晶圆(100)的所述发射极侧(104)相对，其中

所述基层(101)具有基层厚度(102)，它定义为所述基层(101)在所述集电极侧(103)与所述发射极侧(104)之间具有的最大厚度，

第一导电类型的第一层(1)和第二导电类型的第二层(2)交替设置在所述集电极侧(103)上，其特征在于

所述第一层(1)包括至少一个第一区(10)和至少一个第一引导区(12)，其中每个第一区(10)由第一区边界包围并且具有第一区宽度(11)，以及每个第一引导区(12)由第一引导区边界包围并且具有第一引导区宽度(13)，

所述第二层(2)包括至少一个第二区(20)和至少一个第二引导区(22)，其中每个第二区(20)由第二区边界包围并且具有第二区宽度(21)，以及每个第二引导区(22)由第二引导区边界包围并且具有第二引导区宽度(23)，

各区或层宽度定义为所述区或层中的任何点与所述区或层边界上的点之间的最短距离的最大值的两倍，

所述第二层(2)在整个平面之上没有相同结构，

每个第一区宽度(11)小于所述基层厚度(102)，

每个第二区宽度(21)等于或大于所述基层厚度(102)，

每个第一引导区宽度(13)等于或大于所述基层厚度(102)的一倍，

每个第二引导区宽度(23)大于所述基层厚度(102)的两倍，

每个第二引导区宽度(23)大于每个第一引导区宽度(13)，以及

所述至少一个第二引导区(22)的面积之和大于所述至少一个第一引导区(12)的面积之和。

2.如权利要求1所述的反向导通半导体装置(200)，其特征在于，所述至少一个第一和/或第二区(10，20)的宽度(11，21)在所述晶圆(100)上改变。

3.如权利要求1所述的反向导通半导体装置(200)，其特征在于，至少一个第一和/或第二区(10，20)的宽度(11，21)在所述晶圆(100)上是恒定的。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的反向导通半导体装置(200)，其特征在于，所述至少一个第一和第二区(10，20)在所述晶圆(100)上设置为带状。

5.如权利要求1至3中的任一项所述的反向导通半导体装置(200)，其特征在于，每个第一区(10)由第二区(20)完全包围。

6.如权利要求5所述的反向导通半导体装置(200)，其特征在于，所述至少一个第一区(10)具有正方形、矩形或圆形形状。

7.如权利要求1至6中的任一项所述的反向导通半导体装置(200)，其特征在于，每个第一引导区(12)通过至少一个第一和/或第二区(10，20)与任何第二引导区(22)隔离。

8.如权利要求1至6中的任一项所述的反向导通半导体装置(200)，其特征在于，至少一个第一引导区(12)附连到第二引导区(22)。

9.如权利要求1至8中的任一项所述的反向导通半导体装置(200)，其特征在于，所述至少一个第二引导区和/或所述至少一个第一引导区(12，22)具有正方形、矩形、十字形或圆形形状。

10.如权利要求1至9中的任一项所述的反向导通半导体装置(200)，其特征在于

所述至少一个第二区和所述至少一个第二引导区(20，22)的面积之和对晶圆面积是在70％直到90％之间。

11.如权利要求1至10中的任一项所述的反向导通半导体装置(200)，其特征在于

所述至少一个第一区(10)和所述至少一个第一引导区(12)的面积之和对晶圆面积是在10％直到30％之间。

12.如权利要求1至11中的任一项所述的反向导通半导体装置(200)，其特征在于，所述至少一个第二引导区(22)的面积之和对所述晶圆面积是在10％到30％之间。

13.具有如权利要求1至12中的任一项所述的反向导通半导体装置(10)的转换器。