[发明专利]用于制造发射辐射的薄膜器件的方法和发射辐射的薄膜器件

权利要求书

1.一种用于制造发射辐射的薄膜器件(1)的方法，其具有以下步骤：

-提供衬底(2)，

-在衬底(2)上生长纳米棒(3)，

-在纳米棒(3)上外延生长具有至少一个有源层(5)的半导体层序列(4)，

-在半导体层序列(4)上施加支承体(6)，以及

-通过至少部分损坏纳米棒(3)将半导体层序列(4)和支承体(5)与衬底(2)分开。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少部分损坏纳米棒(3)包括湿化学蚀刻工艺。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中锥状或者棱锥状地构造纳米棒(3)的背离衬底(2)的上部(7)。

4.根据前述权利要求之一所述的方法，其中纳米棒(3)没有有源区地生长。

5.根据前述权利要求之一所述的方法，其中纳米棒(3)设置在规则的栅格中并且栅格的平均栅格距离(G)至多为1000nm。

6.根据前述权利要求之一所述的方法，其中纳米棒(3)的平均直径(D)至多为由至少一个有源层(5)发射的最高频率的辐射的半个波长。

7.根据前述权利要求之一所述的方法，其中纳米棒(3)在垂直于衬底(2)的衬底上侧(10)的方向上的长度(L)为至少500nm。

8.根据前述权利要求之一所述的方法，其中利用不同的材料构造纳米棒(3)和半导体层序列(4)。

9.根据前述权利要求之一所述的方法，其中在分开衬底(2)时，纳米棒(3)的上部(7)至少部分残留在半导体层序列(4)上。

10.根据前述权利要求之一所述的方法，其中利用无定形材料或者多晶材料构造纳米棒(3)。

11.根据前述权利要求之一所述的方法，其中利用纳米棒(3)形成光子晶体。

12.根据前述权利要求之一所述的方法，其中纳米棒(3)在上部(7)的背离衬底(2)的侧上形成封闭层(9)。

13.根据前述权利要求之一所述的方法，其中利用硅形成衬底(2)，

-自组织地施加纳米棒(3)，

-纳米棒(3)和半导体层序列(4)基于GaN，

-纳米棒(3)具有在500nm到1.5μm之间的范围中的长度和在30nm到150nm之间的范围中的直径，

-纳米棒(3)没有有源区，

-以湿化学方式进行衬底(2)的分开，以及

-通过分开并不损伤衬底(2)。

14.根据前述权利要求之一所述的方法，其中利用蓝宝石或者硅形成衬底(2)，

-利用ZnO或者GaN构造纳米棒(3)，

-自组织地或者利用光刻步骤施加纳米棒(3)，

-以至多100μm的厚度(T)生长半导体层序列(4)并且半导体层序列(4)基于GaN，

-锥状或者棱锥状地生长纳米棒(3)的上部(7)，并且其中上部(7)的尖状结构(13)指向衬底(2)的方向，以及

-在分开衬底(2)之后，纳米棒(3)部分残留在半导体层序列(4)上并且形成光耦合输出结构(14)。

15.一种发射辐射的薄膜器件(1)，其具有：

-支承体(6)，

-安置在支承体(6)上的半导体层序列(4)，该半导体层序列具有至少一个有源层(5)，所述至少一个有源层构造为发射电磁辐射，以及

-光耦合输出结构(14)，其利用纳米棒(3)形成并且位于半导体层序列(4)的背离支承体(6)的侧上，

其中锥状地或者棱锥状地构造纳米棒(3)，并且通过纳米棒(3)在半导体层序列(4)的主侧(8)上形成封闭层(9)。