[发明专利]具有侧壁泄露保护的MEMS器件封装有效
| 申请号： | 200980144743.3 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102209683A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 格雷亚·J·A·费尔海登;格哈德·库普斯 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 侧壁 泄露 保护 mems 器件 封装 | ||
1.一种制造MEMS器件的方法，包括：
形成MEMS器件元件(14)；
在器件元件(14)上方形成已构图牺牲层(20)；
在牺牲层上方形成分隔层(13)；
刻蚀分隔层(13)，以限定邻近牺牲层(20)外侧壁的分隔部分(23)以及从牺牲层(20)的顶部完全去除分隔层(13)；
在牺牲层(20)和分隔部分(23)上形成封装覆盖层(24)；
在封装覆盖层(24)中限定至少一个开口(25)；
通过所述至少一个开口(25)去除牺牲层(20)，从而在器件元件(14)上形成封装空间；以及
密封所述至少一个开口(25)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述分隔层(13)利用LPCVD工艺形成。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述分隔层刻蚀包括等离子刻蚀。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述牺牲层(20)包括氧化层。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述牺牲层(20)包括二氧化硅。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述封装覆盖层(24)利用PECVD工艺沉积。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述封装覆盖层(24)包括SiCN。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中去除所述牺牲层(20)包括HF气相工艺。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述MEMS器件元件(14)包括开关、电容器或者谐振器。
10.一种已封装的MEMS器件，包括：
MEMS器件元件(14)；
MEMS器件元件上的腔体(26)，其中所述腔体(26)具有沿其外围的分隔部分(23)；
封装覆盖层(24)，设置在所述腔体(26)和分隔部分(23)上；以及
在封装覆盖层(24)中的密封牺牲刻蚀开口(25)。
11.根据权利要求10所述的器件，其中所述分隔部分(23)包括多晶硅或者多晶硅-锗。
12.根据权利要求10或11所述的器件，其中所述封装覆盖层(24)包括SiCN。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的器件，包括在封装覆盖层(24)上的密封层(30)。
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