[发明专利]胶体材料的制备方法、胶体材料及其用途

说明书

技术领域

本发明涉及胶体材料的制备方法，通过该方法可获得的胶体材料以及所述胶体材料用于制备光学装置的用途。

通过本发明方法可获得的胶体材料可以为例如CdS、InP或PbS。在下文中给出了很多其他的实例。

本发明的胶体材料可以用于制备例如激光器(laser)或光电装置。例如，根据本发明实施方案，本发明的胶体材料可以用于替代MBE或MOCVD半导体材料。

本发明材料也用于测试量子限制(quantum confinement)的深层理论。

在下文中，括弧内黑体字的参考文献([x])是所附的引用的文献和出版物的参考文献，其也列在说明书的《实施例》部分后的参考文献列表中。

背景技术

纳米尺寸的无机材料显示出依赖于组成、尺寸、形状和表面配体的范围广泛的电学性能和光学性能，并且是基础研究和技术研究的关注点，如Yin，Y.等人，A.P.Colloidal nanocrystal synthesis and the organic-inorganic interface.Nature 437，664-670(2005)[1]和Hu，J.T.等人，C.M.Chemistry and physics inone dimension：Synthesis and properties of nanowires and nanotubes.AccountsChem Res 32，435-445(1999)[2]以及Geim，A.K.等人，The rise of graphene.Nature Materials 6，183-191(2007)[3]中所公开的。

如Murray，C.B.等人，M.G.Synthesis and Characterization of NearlyMonodisperse CdE(E＝S，Se，Te)Semiconductor Nanocrystallites.J Am ChemSoc 115，8706-8715(1993)[4]所公开的得到很好证实的用于零维度体系(zerodimensional system)生长的方法，如Duan，X.F.等人，C.M.General synthesisof compound semiconductor nanowires.Adv Mater 12，298-302(2000)[5]和Peng，X.G.等人，Shape control of CdSe nanocrystals.Nature 404，59-61(2000)[6]所公开的点以及一维体系，其中已报导了作为溶液中的胶体颗粒的线(wire)和管(tube)。

相比之下，还没有可以获得光学活性二维可溶颗粒的制备方法。

然而，例如已证实了通过分子束取向生长在基质上的II-VI和III-V半导体超薄膜(量子阱)特别有利于基础研究和很多光电子技术的应用，如Weisbuch，C.等人，Quantum Semiconductor Structures：fundamentals andapplications.(Academic Press，1991)[7]所公开的。