[发明专利]具有浅N+层的薄有源层鱼骨形光敏二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种光敏二极管阵列，包括：

薄有源层基板，至少具有前侧和后侧；

多个光敏二极管，一体地形成在该薄有源层基板中以形成所述阵列；

多个金属接触，设置在所述前侧，其中所述阵列的制造包括：

通过掩模氧化物用氧化物层涂覆所述基板的所述前侧和所述后侧；

用光致抗蚀剂层涂覆所述基板的所述前侧；

用p+光刻掩模对所述基板的所述前侧进行掩模；

选择性蚀刻所述基板晶片的所述前侧的氧化物层，其中该p+光刻掩模用于暴露所述前侧的p+扩散区域，并且完全蚀刻涂覆在所述基板的所述后侧的氧化物；

在所述基板的所述前侧扩散p+层以形成p+扩散区域；

在所述基板的所述前侧施加推进氧化层；

用光致抗蚀剂层涂覆所述基板的所述前侧；

用n+光刻掩模对所述基板的所述前侧进行掩模以形成至少一个有源区域蚀刻图案；

采用所述有源区域蚀刻图案选择性蚀刻所述基板的所述前侧的该光致抗蚀剂层以暴露所述前侧的n+扩散区域；

在所述基板的所述前侧扩散n+层以在相邻p+区域之间形成浅n+区域；

在所述基板的所述前侧执行推进氧化；

用氧化物层涂覆所述基板的所述前侧的至少一个暴露表面；

用氮化硅层涂覆所述基板的所述前侧；

用光致抗蚀剂层涂覆所述基板的所述前侧；

采用接触窗口掩模对所述基板晶片的所述前侧进行掩模；

采用所述接触窗口掩模选择性蚀刻该基板的该前侧以形成至少一个接触窗口；

对所述基板的所述前侧和所述后侧进行金属涂敷；

用光致抗蚀剂层涂覆所述基板的所述前侧；以及

对所述基板的所述前侧进行掩模以及选择性蚀刻以形成金属接触。

2.如权利要求1所述的阵列，其中所述薄有源层的厚度为15μm。

3.如权利要求1所述的阵列，其中所述p+掩模图案是鱼骨形图案。

4.如权利要求3所述的阵列，其中该鱼骨形图案的p+掩模包括由p+外围框架骨进一步限定的多个p+骨。

5.如权利要求4所述的阵列，其中所述鱼骨形图案中相邻p+骨之间的距离为700μm。

6.如权利要求1所述的阵列，其中所述浅n+层的深度为0.3μm。

7.如权利要求1所述的阵列，其中所述抗反射涂层是薄膜材料。

8.如权利要求7所述的阵列，其中所述薄膜材料是氧化物、硫化物、氟化物、氮化物、硒化物或金属之一。

9.如权利要求7所述的阵列，其中所述抗反射涂层是厚度为的抗反射的二氧化硅。

10.如权利要求7所述的阵列，其中所述抗反射涂层是厚度为的抗反射的氮化硅。

11.如权利要求1所述的阵列，其中氧化物层保留在该薄有源层的该前侧的至少一部分上，以增加装置的结构刚性。

12.如权利要求1所述的阵列，还包括结合到所述薄有源区域层基板的所述后侧的机械支撑。

13.如权利要求12所述的阵列，其中该机械支撑包括n+硅基板。

14.一种光敏二极管阵列，包括：

薄有源区域基板，至少具有前侧和后侧；

多个二极管元件，一体地形成在该基板中以形成所述阵列，其中，每个二极管元件都具有在所述前侧的p+鱼骨形图案，还包括至少两个p+骨、p+骨框架外围和相邻p+区域之间的至少一个浅n+区域，并且其中每个p+骨由厚氧化物层保护，以及

多个前表面阴极和阳极接触，

其中所述至少一个浅n+区域增加该二极管元件相对于没有所述浅n+区域的二极管元件的稳定性。

15.如权利要求14所述的阵列，其中所述薄有源层的厚度为15μm。

16.如权利要求14所述的阵列，其中所述p+掩模图案是鱼骨形图案。

17.如权利要求14所述的阵列，还包括连接到所述薄有源区域层基板的所述后侧的机械支撑。