[发明专利]鳍式场效应晶体管(FINFET)

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管(100，200)，包括：

一半导体基材(20)，具有一鳍(12)；

该鳍(12)具有一上部分(30)与一下部分(32)，该上部分(30)掺杂一具有第一导电类型的掺杂质，该下部分(32)掺杂一具有第二导电类型的掺杂质；

其中该上部分(30)与该下部分(32)之间的结(34)作为一二极管；

该鳍式场效应晶体管(100，200)还包括：

至少一层高k介电材料层(26，28)，相邻于该鳍(12)的至少一侧，当该上部分(30)连接到一第一电位且该下部分(32)连接到一第二电位从而产生穿过该结(34)的一电位降时，相较于如果不存在该至少一层高k介电材料层的情况，该至少一层高k介电材料层(26，28)用于更均匀地重新分配该二极管上的电位降。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(100，200)，其中该至少一层高k介电材料层(26，28)的k值为k≥5。

3.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(100，200)，其中该至少一层高k介电材料层(26，28)的k值为k≥7.5。

4.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(100，200)，其中该至少一层高k介电材料层(26，28)的k值为k≥20。

5.如权利要求4所述的鳍式场效应晶体管(100，200)，其中该至少一层高k介电材料层(26，28)为氧化铪。

6.如权利要求1-5中任一权利要求所述的鳍式场效应晶体管(100，200)，其中相邻于该鳍(12)的至少一侧的该至少一层高k介电材料层(26，28)包括设置为相邻于该鳍(12)的相对侧的介电材料层(26，28)。

7.如权利要求1-6中任一权利要求所述的鳍式场效应晶体管(100，200)，其中该鳍式场效应晶体管(100，200)还包括一浅沟槽隔离层(18)，设置于基材(20)上且相邻于该高k介电材料层(26，28)。

8.如权利要求1-7中任一权利要求所述的鳍式场效应晶体管(100，200)，其中该鳍(12)还包括：

一源极(14)与一漏极(16)，被一沟道区域(24)所分开，该鳍(12)的沟道区域(24)被一栅极区域(22)从三侧包围。

9.如权利要求8所述的鳍式场效应晶体管(100，200)，其中该鳍式场效应晶体管(100，200)还包括：

一贯穿停止层，设置于该鳍(12)的下部分(32)且位于该沟道区域(24)之下。

10.一种鳍式场效应晶体管(100，200)的制造方法，该方法包括以下步骤：

提供(s2)一半导体基材(20)；

蚀刻(s4)该基材，以提供一鳍(12)；

相邻于该鳍(12)的至少一侧，沉积(s6)一高k介电材料层(26，28)；

沉积(s8)一浅沟槽隔离层(18)于该基材(20)之上且相邻于该高k介电材料层(26，28)；

提供(s10)一栅极区域(24)于该鳍(12)之上并围绕该鳍(12)的侧边；以及

注入掺杂质(s12)到该鳍(12)中，以形成有源半导体区域(14，16)。

11.如权利要求10所述的鳍式场效应晶体管(100，200)的制造方法，其中注入掺杂质(s12)的步骤包括：

重掺杂该鳍(12)的一上部分(30)与一下部分(32)，该上部分掺杂一具有第一导电类型的掺杂质，该下部分掺杂一具有第二导电类型的掺杂质，其中该上部分(30)与该下部分(32)之间的结(34)作为一二极管；以及

其中沉积(s6)高k材料层(26，28)的步骤包括：

相邻于该鳍(12)的至少一侧，沉积(s6)至少一层高k介电材料层(26，28)，当该上部分(30)连接到一第一电位且该下部分(32)连接到一第二电位从而产生穿过该结(34)的一电位降时，相较于如果不存在该至少一层高k介电材料层的情况，该至少一层高k介电材料层(26，28)用于更均匀地重新分配该二极管上的电位降。

12.如权利要求10或11所述的鳍式场效应晶体管(100，200)的制造方法，其中沉积(s6)高k介电材料层(26，28)的步骤包括：沉积k值为k≥5的高k介电材料层(26，28)。